Advanced Linear Devices Inc. ALD111933MAL

ALD111933MAL Supplier & Distributor

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Teilenr.:
ALD111933MAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecALD111933MAL.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
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ALD111933MAL Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie:
EPAD®
Verpackung/Gehäuse:
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
500Ohm @ 5.9V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.35V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2.5pF @ 5V
Leistung – Max:
500mW
Betriebstemperatur:
0°C ~ 70°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-MSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. ALD111933MAL
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
Serie EPAD®
Verpackung/Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Verpackung Tube
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5.9V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.35V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Leistung – Max 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-MSOP

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