Advanced Linear Devices Inc. ALD1117SAL

ALD1117SAL Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
ALD1117SAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecALD1117SAL.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
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ALD1117SAL Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1800Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 5V
Leistung – Max:
500mW
Betriebstemperatur:
0°C ~ 70°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. ALD1117SAL
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tube
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 5V
Leistung – Max 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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