Microsemi Corporation 1214-370M

1214-370M Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
1214-370M
Hersteller:
Microsemi Corporation
Kategorie:
Bipolare HF-Transistoren
Gehäuse:
55ST
Datenblatt:
TomatoElec1214-370M.pdf
Beschreibung:
RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST
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1214-370M Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microsemi Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
55ST
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
Transistortyp:
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
75V
Frequenz - Übergang:
1.2GHz ~ 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f):
-
Verstärkung:
8.7dB ~ 9dB
Leistung – Max:
600W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
10 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
25A
Betriebstemperatur:
200°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
55ST
Kategorie:
Bipolare HF-Transistoren
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Bilder 1214-30 1214-55 1214-220M 1214-300M 1214-150L
Teilenr. 1214-30 1214-55 1214-220M 1214-300M 1214-150L
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Serie - - - - -
Verpackung/Gehäuse 55AW 55AW 55ST 55ST 55ST-1
Verpackung Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Produktstatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
Transistortyp NPN NPN NPN NPN NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V 50V 70V 50V 65V
Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz 1.2GHz ~ 1.4GHz 1.2GHz ~ 1.4GHz 1.2GHz ~ 1.4GHz 1.2GHz ~ 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) - - - - -
Verstärkung 7dB 7dB 7.4dB 7dB 7.15dB ~ 8.7dB
Leistung – Max 88W 175W 700W 88W 320W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V 20 @ 1A, 5V 10 @ 1A, 5V 20 @ 500mA, 5V 20 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A 8A 20A 4A 15A
Betriebstemperatur 200°C (TJ) 200°C (TJ) 200°C (TJ) 200°C (TJ) 200°C (TJ)
Klasse - - - - -
Qualifizierung - - - - -
Montageart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket 55AW 55AW 55ST 55ST 55ST-1

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