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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    RFP10N15L

    RFP10N15L

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 20,421 -
    RFQ
    		RFP10N15L

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 10A (Tc) 5V 300mOhm @ 5A, 5V - - ±10V 1200 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    MTA2N60E

    MTA2N60E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 18,829 -
    RFQ
    		MTA2N60E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQA9N90C-F109

    FQA9N90C-F109

    MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

    onsemi

    		 2,977 -
    RFQ
    		FQA9N90C-F109

    Datenblatt

         		QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 9A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 4.5A, 10V 5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 2730 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    SI3424BDV-T1-GE3

    SI3424BDV-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

    Vishay Siliconix

    		 8,290 -
    RFQ
    		SI3424BDV-T1-GE3

    Datenblatt

         		TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Tc) 4.5V, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 19.6 nC @ 10 V ±20V 735 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF642

    IRF642

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 6,085 -
    RFQ
    		IRF642

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 1275 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF6711STRPBF

    IRF6711STRPBF

    MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT

    International Rectifier

    		 4,800 -
    RFQ
    		IRF6711STRPBF

    Datenblatt

         		DirectFET™ DirectFET™ Isometric SQ Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) - 3.8mOhm @ 19A, 10V 2.35V @ 25µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 1810 pF @ 13 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric SQ
    BUK652R7-30C,127

    BUK652R7-30C,127

    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 9,095 -
    RFQ
    		BUK652R7-30C,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±16V 6960 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDS9400A

    FDS9400A

    MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC

    onsemi

    		 2,541 -
    RFQ
    		FDS9400A

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.4A (Ta) 4.5V, 10V 130mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 3.5 nC @ 5 V ±25V 205 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IPSA70R600P7SAKMA1

    IPSA70R600P7SAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 7,423 -
    RFQ
    		IPSA70R600P7SAKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 8.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 1.8A, 10V 3.5V @ 90µA 10.5 nC @ 400 V ±16V 364 pF @ 400 V - 43.1W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    IRF9321TR

    IRF9321TR

    MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRF9321TR

    Datenblatt

         		* 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 50µA - ±20V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF9388TR

    IRF9388TR

    MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRF9388TR

    Datenblatt

         		* 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) 10V, 20V 8.5mOhm @ 12A, 20V 2.4V @ 25µA - ±25V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF7424TR

    IRF7424TR

    MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRF7424TR

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTNS3190NZT5G

    NTNS3190NZT5G

    MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA

    onsemi

    		 2,914 -
    RFQ
    		NTNS3190NZT5G

    Datenblatt

         		- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 224mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 15.8 pF @ 15 V - 120mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
    NTF2955T1G

    NTF2955T1G

    MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		NTF2955T1G

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD20N06LT4G

    NTD20N06LT4G

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

    UMW

    		 2,494 -
    RFQ
    		NTD20N06LT4G

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJL9413_R2_00001

    PJL9413_R2_00001

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 2,100 -
    RFQ
    		PJL9413_R2_00001

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1556 pF @ 15 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    RF1S22N10

    RF1S22N10

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,990 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPI90R1K2C3XKSA2

    IPI90R1K2C3XKSA2

    MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 3,493 -
    RFQ
    		IPI90R1K2C3XKSA2

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 310µA 28 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    IRF122

    IRF122

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,790 -
    RFQ
    		IRF122

    Datenblatt

         		- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3
    FCPF7N60YDTU

    FCPF7N60YDTU

    MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3

    onsemi

    		 9,197 -
    RFQ
    		FCPF7N60YDTU

    Datenblatt

         		SuperFET™ TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
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