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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NDD01N60-1G

    NDD01N60-1G

    MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK

    onsemi

    		 4,199 -
    RFQ
    		NDD01N60-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.5A (Tc) 10V 8.5Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2 nC @ 10 V ±30V 160 pF @ 25 V - 46W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SJ646-E

    2SJ646-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 7,975 -
    RFQ
    		2SJ646-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA75307D3S

    HUFA75307D3S

    MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    		 7,254 -
    RFQ
    		HUFA75307D3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 15A (Tc) 10V 90mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 20 V ±20V 250 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTD60N03

    NTD60N03

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 7,203 -
    RFQ
    		NTD60N03

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MMSF10N03ZR2

    MMSF10N03ZR2

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 5,664 -
    RFQ
    		MMSF10N03ZR2

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GS2N7002KW

    GS2N7002KW

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,385 -
    RFQ
    		GS2N7002KW

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA (Ta) 4.5V, 10V 2.5Ohm @ 300mA, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 18 pF @ 30 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    NTD4404NT4G

    NTD4404NT4G

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 5,000 -
    RFQ
    		NTD4404NT4G

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3487-TD-E

    2SK3487-TD-E

    NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 4,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK583

    2SK583

    N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    onsemi

    		 3,000 -
    RFQ
    		2SK583

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH6443-P-TL-H

    CPH6443-P-TL-H

    N-CHANNEL MOSFET

    Sanyo

    		 3,000 -
    RFQ
    		CPH6443-P-TL-H

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active - - - 6A (Tj) - - - - - - - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-CPH
    G500P03IE

    G500P03IE

    MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23

    Goford Semiconductor

    		 3,000 -
    RFQ
    		G500P03IE

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Tc) 2.5V, 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±12V 680 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IRLML2246TR

    IRLML2246TR

    MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRLML2246TR

    Datenblatt

         		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 135mOhm @ 2.6A, 4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    IRLML6302TR

    IRLML6302TR

    MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRLML6302TR

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BS170FTA

    BS170FTA

    MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		BS170FTA

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD78N03R-001

    NTD78N03R-001

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 2,775 -
    RFQ
    		NTD78N03R-001

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD78N03R-035

    NTD78N03R-035

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 2,700 -
    RFQ
    		NTD78N03R-035

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD78N03R-35G

    NTD78N03R-35G

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 2,625 -
    RFQ
    		NTD78N03R-35G

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMSD3P303R2

    NTMSD3P303R2

    MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC

    onsemi

    		 2,324 -
    RFQ
    		NTMSD3P303R2

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PMXB65ENE,147

    PMXB65ENE,147

    NOW NEXPERIA PMXB65ENE - SMALL S

    NXP USA Inc.

    		 2,082 -
    RFQ
    		PMXB65ENE,147

    Datenblatt

         		- 3-XDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) 4.5V, 10V 67mOhm @ 3.2A, 10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 295 pF @ 15 V - 400mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1010D-3
    2N7002

    2N7002

    S0T-23 MOSFETS ROHS

    UMW

    		 1,850 -
    RFQ
    		2N7002

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 115mA (Ta) 5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA - 20V 50 pF @ 25 V - 225mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
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