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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    MSC400SMA330B4N

    MSC400SMA330B4N

    MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247

    Microchip Technology

    		 8,045 -
    RFQ
    		MSC400SMA330B4N

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 11A (Tc) 20V 520mOhm @ 5A, 20V 2.97V @ 1mA 37 nC @ 20 V +23V, -10V 579 pF @ 2.4 kV - 131W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    MSC011SMC120D/S

    MSC011SMC120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 7,006 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC011SMB120SDT/R

    MSC011SMB120SDT/R

    MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM, 7LD T

    Microchip Technology

    		 8,897 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC080SMB120D/S

    MSC080SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 5,464 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC040SMA120SDT/R

    MSC040SMA120SDT/R

    MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263

    Microchip Technology

    		 6,632 -
    RFQ
    		MSC040SMA120SDT/R

    Datenblatt

         		mSiC™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 18V, 20V 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 2mA 137 nC @ 20 V +23V, -10V 1962 pF @ 1000 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
    MSC011SMB120D/S

    MSC011SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 6,768 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC060SMB120D/S

    MSC060SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 3,943 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC040SMB120D/S

    MSC040SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 5,413 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC025SMB120D/S

    MSC025SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 25 MOHM DIE

    Microchip Technology

    		 5,237 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC080SMA330B4N

    MSC080SMA330B4N

    MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-

    Microchip Technology

    		 7,947 -
    RFQ
    		MSC080SMA330B4N

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 41A (Tc) 20V 105mOhm @ 30A, 20V 2.97V @ 3mA 55 nC @ 20 V +23V, -10V 3462 pF @ 2.4 kV - 381W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IGLT65R055D2

    IGLT65R055D2

    GAN TRANSISTOR 650 V G5

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 6,023 -
    RFQ

    -

    		 CoolGaN™ 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA 6.6 nC @ 3 V -10V 330 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-8
    IGLT65R045D2

    IGLT65R045D2

    GAN TRANSISTOR 650 V G5

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 4,276 -
    RFQ

    -

    		 CoolGaN™ 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 38A (Tc) - - 1.6V @ 3.3mA 8.4 nC @ 3 V -10V 420 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-8
    SCT2H12NWBTL1

    SCT2H12NWBTL1

    SICFET N-CH 1700V 4A TO268

    Rohm Semiconductor

    		 9,309 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SCT2750NWCTL1

    SCT2750NWCTL1

    SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

    Rohm Semiconductor

    		 7,718 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    C3M00160120D

    C3M00160120D

    SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I

    Wolfspeed, Inc.

    		 8,663 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    C3M0900170D

    C3M0900170D

    SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

    Wolfspeed, Inc.

    		 2,164 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 6.3A - - - - - - - - 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    C3M0900170J-TR

    C3M0900170J-TR

    SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7

    Wolfspeed, Inc.

    		 6,829 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 6.3A - - - - - - - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    C3M0900170J

    C3M0900170J

    SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK

    Wolfspeed, Inc.

    		 9,653 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 6.3A - - - - - - - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    NTC160N120SC1

    NTC160N120SC1

    SILICON CARBIDE MOSFET, CHANNEL,

    onsemi

    		 9,778 -
    RFQ
    		NTC160N120SC1

    Datenblatt

         		- Die Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 34 nC @ 20 V +25V, -15V 665 pF @ 800 V - 119W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Die
    NVD6828NLT4G

    NVD6828NLT4G

    SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 90

    onsemi

    		 9,934 -
    RFQ
    		NVD6828NLT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 8.7A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
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