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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IRFI4228PBF-IR

    IRFI4228PBF-IR

    HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

    International Rectifier

    		 4,470 -
    RFQ
    		IRFI4228PBF-IR

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 34A (Tc) 10V 16mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 46W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFC7314B

    IRFC7314B

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

    Infineon Technologies

    		 2,134 -
    RFQ
    		IRFC7314B

    Datenblatt

         		- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - ±12V - - - - - - - -
    IRF7416TRPBF-1

    IRF7416TRPBF-1

    MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    		 3,262 -
    RFQ
    		IRF7416TRPBF-1

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) - 20mOhm @ 5.6A, 10V 2.04V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRLML2803TRPBF-1

    IRLML2803TRPBF-1

    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

    Infineon Technologies

    		 7,907 -
    RFQ
    		IRLML2803TRPBF-1

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.2A (Ta) - 250mOhm @ 910mA, 10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 85 pF @ 25 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro3™/SOT-23
    IRF7410TRPBF-1

    IRF7410TRPBF-1

    MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

    Infineon Technologies

    		 3,751 -
    RFQ
    		IRF7410TRPBF-1

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Ta) - 7mOhm @ 16A, 4.5V 900mV @ 250µA 91 nC @ 4.5 V ±8V 8676 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AONS36326

    AONS36326

    MOSFET N-CH 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 9,034 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AON6582

    AON6582

    MOSFET N-CH 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 7,919 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AOSS32389

    AOSS32389

    MOSFET N-CH 30V SOT23

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 2,492 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AON6570

    AON6570

    MOSFET N-CH 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 2,705 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AON6358P

    AON6358P

    MOSFET N-CH 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 4,050 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AON6332

    AON6332

    MOSFET N-CH 30V 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 2,133 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AON7468

    AON7468

    MOSFET N-CH 3X3 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 4,517 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AON7596

    AON7596

    MOSFET N-CH 3X3 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 6,187 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AO3434TS

    AO3434TS

    MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23-3

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 7,383 -
    RFQ

    -

    		 - 3-SMD, SOT-23-3 Variant Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.2A, 10V 1.8V @ 250µA 7.2 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    AO3434LS

    AO3434LS

    MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23-3

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 8,356 -
    RFQ

    -

    		 - 3-SMD, SOT-23-3 Variant Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.2A, 10V 1.8V @ 250µA 7.2 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    TPCA8109(TE12L1,V

    TPCA8109(TE12L1,V

    MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 9,629 -
    RFQ

    -

    		 U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 12A, 10V 2V @ 500µA 56 nC @ 10 V +20V, -25V 2400 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 30W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    TPCC8104,L1Q(CM

    TPCC8104,L1Q(CM

    MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 5,080 -
    RFQ

    -

    		 U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 nC @ 10 V +20V, -25V 2260 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 27W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
    TPCC8105,L1Q(CM

    TPCC8105,L1Q(CM

    MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 2,514 -
    RFQ

    -

    		 U-MOSVI 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Ta) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 11.5A, 10V 2V @ 500µA 76 nC @ 10 V +20V, -25V 3240 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 30W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    TPCC8136.LQ

    TPCC8136.LQ

    MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 3,328 -
    RFQ

    -

    		 U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 16mOhm @ 9.4A, 4.5V 1.2V @ 1mA 36 nC @ 5 V ±12V 2350 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 18W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
    TK40J20D,S1F(O

    TK40J20D,S1F(O

    MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 7,100 -
    RFQ

    -

    		 π-MOSVIII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 40A (Ta) 10V 44mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 100 V - 260W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-3P(N)
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