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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NDS355AN-F169

    NDS355AN-F169

    MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

    onsemi

    		 6,911 -
    RFQ
    		NDS355AN-F169

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 2V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±20V 195 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    NDS355AN-NB9L007A

    NDS355AN-NB9L007A

    MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

    onsemi

    		 6,526 -
    RFQ
    		NDS355AN-NB9L007A

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 2V @ 250µA 5 nC @ 5 V ±20V 195 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    NDS356AP-NB8L005A

    NDS356AP-NB8L005A

    MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

    onsemi

    		 9,897 -
    RFQ
    		NDS356AP-NB8L005A

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    TK12P60W,RVQ(S

    TK12P60W,RVQ(S

    MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 3,909 -
    RFQ
    		TK12P60W,RVQ(S

    Datenblatt

         		DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11.5A (Ta) 10V 340mOhm @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA 25 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 300 V - 100W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
    TK1P90A,LQ(CO

    TK1P90A,LQ(CO

    MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 3,853 -
    RFQ

    -

    		 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1A (Ta) 10V 9Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 13 nC @ 10 V ±30V 320 pF @ 25 V - 20W (Tc) 150°C - - Surface Mount PW-MOLD
    TK2P60D(TE16L1,NV)

    TK2P60D(TE16L1,NV)

    MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 5,540 -
    RFQ
    		TK2P60D(TE16L1,NV)

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 4.4V @ 1mA 7 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C - - Surface Mount PW-MOLD
    2N7002-7-F-79

    2N7002-7-F-79

    MOSFET N-CH 60V SOT23-3

    Diodes Incorporated

    		 6,138 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2N7002-7-G

    2N7002-7-G

    MOSFET N-CH 60V SOT23-3

    Diodes Incorporated

    		 4,074 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2N7002E-7-G

    2N7002E-7-G

    MOSFET N-CH 60V SOT23

    Diodes Incorporated

    		 7,956 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2N7002KX-7

    2N7002KX-7

    MOSFET N-CH 60V SOT23-3

    Diodes Incorporated

    		 9,559 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2N7002T-13-G

    2N7002T-13-G

    MOSFET N-CH 60V SOT523

    Diodes Incorporated

    		 5,927 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2N7002T-7-G

    2N7002T-7-G

    MOSFET N-CH 60V SOT523

    Diodes Incorporated

    		 6,956 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSS138TA-79

    BSS138TA-79

    MOSFET N-CH SOT23

    Diodes Incorporated

    		 7,002 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    DMG3415U-13

    DMG3415U-13

    MOSFET P-CH DFN-3

    Diodes Incorporated

    		 4,143 -
    RFQ
    		DMG3415U-13

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 42.5mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±8V 294 pF @ 10 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3
    DMN2400UFB4-7R

    DMN2400UFB4-7R

    MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

    Diodes Incorporated

    		 6,123 -
    RFQ
    		DMN2400UFB4-7R

    Datenblatt

         		- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±12V 36 pF @ 16 V - 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    DMN2500UFB4-7B

    DMN2500UFB4-7B

    MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

    Diodes Incorporated

    		 3,483 -
    RFQ
    		DMN2500UFB4-7B

    Datenblatt

         		- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 810mA (Ta) 1.8V, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.737 nC @ 4.5 V ±6V 60.67 pF @ 16 V - 460mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    DMN62D0LFD-13

    DMN62D0LFD-13

    MOSFET N-CH X1-DFN1212-3

    Diodes Incorporated

    		 5,047 -
    RFQ

    -

    		 - 3-UDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 310mA (Ta) 1.8V, 4V 2Ohm @ 100mA, 4V 1V @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±20V 31 pF @ 25 V - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X1-DFN1212-3
    DMS3014SFG-13

    DMS3014SFG-13

    MOSFET N-CH POWERDI3333-8

    Diodes Incorporated

    		 4,785 -
    RFQ
    		DMS3014SFG-13

    Datenblatt

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10.4A, 10V 2.2V @ 250µA 45.7 nC @ 10 V ±12V 4310 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount POWERDI3333-8
    NVD5807NT4G-VF01

    NVD5807NT4G-VF01

    MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

    onsemi

    		 6,786 -
    RFQ
    		NVD5807NT4G-VF01

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 603 pF @ 25 V - 33W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NVD6416ANLT4G

    NVD6416ANLT4G

    MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

    onsemi

    		 9,575 -
    RFQ
    		NVD6416ANLT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 4.5V, 10V 74mOhm @ 19A, 10V 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
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