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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IPC60R380E6UNSAWNX6SA1

    IPC60R380E6UNSAWNX6SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    		 4,024 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC60R380E6X7SA1

    IPC60R380E6X7SA1

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    		 2,496 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

    IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    		 6,406 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SPD04N60C3

    SPD04N60C3

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 6,542 -
    RFQ
    		SPD04N60C3

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    SPD07N60C3

    SPD07N60C3

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 3,493 -
    RFQ
    		SPD07N60C3

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPI90R800C3

    IPI90R800C3

    MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 3,838 -
    RFQ
    		IPI90R800C3

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.9A (Tc) 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 3.5V @ 460µA 42 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPP90R500C3

    IPP90R500C3

    MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 6,715 -
    RFQ
    		IPP90R500C3

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 740µA 68 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPI08N80C3

    SPI08N80C3

    MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 4,058 -
    RFQ
    		SPI08N80C3

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.1A, 10V 3.9V @ 470µA 60 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    SPS03N60C3

    SPS03N60C3

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 6,148 -
    RFQ
    		SPS03N60C3

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    V30365-T1-GE3

    V30365-T1-GE3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 8,564 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    V30391-T1-E3

    V30391-T1-E3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 6,379 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    V30406-T1-GE3

    V30406-T1-GE3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 4,203 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    V30408-T1-GE3

    V30408-T1-GE3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 7,880 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    V30410-T1-GE3

    V30410-T1-GE3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 8,792 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    V30429-T1-GE3

    V30429-T1-GE3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 2,317 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    V30432-T1-GE3

    V30432-T1-GE3

    MOSFET N-CH SMD

    Vishay Siliconix

    		 7,213 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PMPB100ENEAX

    PMPB100ENEAX

    PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220

    Nexperia USA Inc.

    		 3,111 -
    RFQ
    		PMPB100ENEAX

    Datenblatt

         		- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - ±20V - - - - - - Surface Mount DFN2020MD-6
    PMPB25ENEAX

    PMPB25ENEAX

    MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

    Nexperia USA Inc.

    		 7,919 -
    RFQ
    		PMPB25ENEAX

    Datenblatt

         		- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.2A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 7.2A, 10V 2.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 607 pF @ 15 V - 2.08W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020MD-6
    PSMN5R6-100YSFX

    PSMN5R6-100YSFX

    MOSFET N-CH 100V 158A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 4,262 -
    RFQ
    		PSMN5R6-100YSFX

    Datenblatt

         		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V - - 63 nC @ 10 V ±20V - - 294W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
    APT130SM70B

    APT130SM70B

    SICFET N-CH 700V 110A TO247-3

    Microsemi Corporation

    		 3,554 -
    RFQ
    		APT130SM70B

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Bulk Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 110A (Tc) 20V 45mOhm @ 60A, 20V 2.4V @ 1mA 220 nC @ 20 V +25V, -10V 3950 pF @ 700 V - 556W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
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