Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
APT75GN60SDQ2G

APT75GN60SDQ2G

IGBT TRENCH FS 600V 155A D3PAK

Microchip Technology

33 -
RFQ
APT75GN60SDQ2G

Datenblatt

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 155 A 225 A 1.85V @ 15V, 75A 536 W 2.5mJ (on), 2.14mJ (off) Standard 485 nC 47ns/385ns 400V, 75A, 1Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
AUIRGPS4070D0

AUIRGPS4070D0

AUIRGPS4070D0 - AUTOMOTIVE IGBT

Infineon Technologies

48 -
RFQ
AUIRGPS4070D0

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
APT50GT120LRG

APT50GT120LRG

IGBT NPT 1200V 50A TO264

Microchip Technology

27 -
RFQ
APT50GT120LRG

Datenblatt

Thunderbolt IGBT® TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 1200 V 50 A 150 A 3.7V @ 15V, 50A 625 W -, 2.33mJ (off) Standard 340 nC 24ns/230ns 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (L)
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

IGBT NPT 1200V 106A

Microsemi Corporation

8 -
RFQ
APT50GT120B2RDLG

Datenblatt

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Variant Tube Active NPT 1200 V 106 A 150 A 3.7V @ 15V, 50A 694 W 3585µJ (on), 1910µJ (off) Standard 240 nC 23ns/215ns 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXYF30N450

IXYF30N450

IGBT 4500V 23A ISOPLUSI4

IXYS

17 -
RFQ
IXYF30N450

Datenblatt

XPT™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active - 4500 V 23 A 190 A 3.9V @ 15V, 30A 230 W - Standard 88 nC 38ns/168ns 960V, 30A, 15Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
STGB6NC60HT4

STGB6NC60HT4

IGBT 600V 15A 56W D2PAK

STMicroelectronics

174 -
RFQ
STGB6NC60HT4

Datenblatt

PowerMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3A 56 W 20µJ (on), 68µJ (off) Standard 13.6 nC 12ns/76ns 390V, 3A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STGP10NC60H

STGP10NC60H

IGBT 600V 20A 60W TO220

STMicroelectronics

59 -
RFQ
STGP10NC60H

Datenblatt

PowerMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete - 600 V 20 A - 2.5V @ 15V, 5A 60 W 31.8µJ (on), 95µJ (off) Standard 19.2 nC 14.2ns/72ns 390V, 5A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NGB8204ANT4G

NGB8204ANT4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

795 -
RFQ
NGB8204ANT4G

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 430 V 18 A 50 A 2.5V @ 4V, 15A 115 W - Logic - - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IKD06N60RAATMA2

IKD06N60RAATMA2

IGBT

Infineon Technologies

807 -
RFQ
IKD06N60RAATMA2

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRGS8B60KPBF

IRGS8B60KPBF

IGBT

Infineon Technologies

550 -
RFQ
IRGS8B60KPBF

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF - IGBT, 600V, 10A,

Fairchild Semiconductor

800 -
RFQ
FGP10N60UNDF

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IGW30N60H3FKSA1

IGW30N60H3FKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3

Infineon Technologies

2,255 -
RFQ
IGW30N60H3FKSA1

Datenblatt

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 60 A 120 A 2.4V @ 15V, 30A 187 W 1.38mJ Standard 165 nC 21ns/207ns 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
STGW75M65DF2

STGW75M65DF2

IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3

STMicroelectronics

8,112 -
RFQ
STGW75M65DF2

Datenblatt

M TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 120 A 225 A 2.1V @ 15V, 75A 468 W 690µJ (on), 2.54mJ (off) Standard 225 nC 47ns/125ns 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V 165 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXYP50N65C3

IXYP50N65C3

IGBT 650V 130A 600W TO220

IXYS

7,799 -
RFQ
IXYP50N65C3

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-220-3 Tube Active PT 650 V 130 A 250 A 2.1V @ 15V, 36A 600 W 1.3mJ (on), 370µJ (off) Standard 80 nC 22ns/80ns 400V, 36A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXGA20N120A3

IXGA20N120A3

IGBT PT 1200V 40A TO263AA

IXYS

4,657 -
RFQ
IXGA20N120A3

Datenblatt

GenX3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 1200 V 40 A 120 A 2.5V @ 15V, 20A 180 W 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Standard 50 nC 16ns/290ns 960V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IXBT42N170

IXBT42N170

IGBT 1700V 80A TO268AA

IXYS

5,888 -
RFQ
IXBT42N170

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 80 A 300 A 2.8V @ 15V, 42A 360 W - Standard 188 nC - - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXYT30N450HV

IXYT30N450HV

IGBT 4500V 60A TO268HV

IXYS

5,472 -
RFQ
IXYT30N450HV

Datenblatt

XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 4500 V 60 A 200 A 3.9V @ 15V, 30A 430 W - Standard 88 nC 38ns/168ns 960V, 30A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXYT)
IXBK75N170

IXBK75N170

IGBT 1700V 200A TO264AA

IXYS

7,696 -
RFQ
IXBK75N170

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 1700 V 200 A 580 A 3.1V @ 15V, 75A 1040 W - Standard 350 nC - - 1.5 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
IXYX140N120A4

IXYX140N120A4

IGBT PT 1200V 480A PLUS247-3

IXYS

4,063 -
RFQ
IXYX140N120A4

Datenblatt

XPT™, GenX4™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 480 A 1200 A 1.7V @ 15V, 140A 1500 W 4.9mJ (on), 12mJ (off) Standard 420 nC 52ns/590ns 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V 47 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXBX50N360HV

IXBX50N360HV

IGBT 3600V 125A TO247PLUS-HV

IXYS

1 -
RFQ
IXBX50N360HV

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3600 V 125 A 420 A 2.9V @ 15V, 50A 660 W - Standard 210 nC 46ns/205ns 960V, 50A, 5Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247PLUS-HV
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