Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
AOK20B65M2

AOK20B65M2

IGBT 650V 20A TO247

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

73 -
RFQ
AOK20B65M2

Datenblatt

Alpha IGBT™ TO-247-3 Tube Active - 650 V 40 A 60 A 2.15V @ 15V, 20A 227 W 580µJ (on), 280µJ (off) Standard 46 nC 26ns/123ns 400V, 20A, 15Ohm, 15V 292 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STGW20V60F

STGW20V60F

IGBT 600V 40A 167W TO247

STMicroelectronics

72 -
RFQ
STGW20V60F

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20A 167 W 200µJ (on), 130µJ (off) Standard 116 nC 38ns/149ns 400V, 20A, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0

IGBT 600V 80A TO3P

Renesas Electronics Corporation

79 -
RFQ
RJP60F5DPK-01#T0

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 80 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 260.4 W - Standard 74 nC 53ns/90ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
STGFW20H65FB

STGFW20H65FB

IGBT 650V 40A 52W TO3PF

STMicroelectronics

205 -
RFQ
STGFW20H65FB

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20A 52 W 77µJ (on), 170µJ (off) Standard 120 nC 30ns/139ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
HGTP20N60C3R

HGTP20N60C3R

40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

79 -
RFQ
HGTP20N60C3R

Datenblatt

- TO-220-3 Bulk Active - 600 V 45 A 300 A 1.8V @ 15V, 20A 164 W 500µJ (on), 500µJ (off) Standard 122 nC 28ns/151ns 480V, 20A, 10Ohm, 15V 24 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
RJP60F4DPM-00#T1

RJP60F4DPM-00#T1

IGBT TRENCH 600V 60A TO3PFM

Renesas Electronics Corporation

78 -
RFQ
RJP60F4DPM-00#T1

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Tube Active Trench 600 V 60 A - 1.82V @ 15V, 30A 41.2 W - Standard - 45ns/70ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGTH00TS65GC11

RGTH00TS65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N

Rohm Semiconductor

44 -
RFQ
RGTH00TS65GC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 85 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W - Standard 94 nC 39ns/143ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
NGTB35N60FL2WG

NGTB35N60FL2WG

IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247

onsemi

3,054 -
RFQ
NGTB35N60FL2WG

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 600 V 70 A 120 A 2V @ 15V, 35A 300 W 840µJ (on), 280µJ (off) Standard 125 nC 72ns/132ns 400V, 35A, 10Ohm, 15V 68 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
HGTG30N60B3_NL

HGTG30N60B3_NL

IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

51 -
RFQ
HGTG30N60B3_NL

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Active NPT 600 V 60 A 220 A 1.9V @ 15V, 30A 208 W 550µJ (on), 680µJ (off) Standard 250 nC 36ns/137ns 480V, 60A, 3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
HGTG40N60C3

HGTG40N60C3

75A, 600V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

89 -
RFQ
HGTG40N60C3

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Active - 600 V 75 A 300 A 1.8V @ 15V, 40A 291 W 850mJ (on), 1mJ (off) Standard 395 nC 47ns/185ns 480V, 40A, 3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
HGTG27N60C3DR

HGTG27N60C3DR

UFS SERIES N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

68 -
RFQ
HGTG27N60C3DR

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Active - 600 V 54 A 108 A 2.2V @ 15V, 27A 208 W - Standard 212 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
NGTB40N120IHRWG

NGTB40N120IHRWG

IGBT 1200V 80A 384W TO247

onsemi

31 -
RFQ
NGTB40N120IHRWG

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1200 V 80 A 120 A 2.55V @ 15V, 40A 384 W 950µJ (off) Standard 225 nC -/230ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

STMicroelectronics

68 -
RFQ
STGWT80H65FB

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 650 V 120 A 240 A 2V @ 15V, 80A 469 W 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Standard 414 nC 84ns/280ns 400V, 80A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
APT40GR120B

APT40GR120B

IGBT NPT 1200V 88A TO247-3

Microchip Technology

37 -
RFQ
APT40GR120B

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 88 A 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W 1.38mJ (on), 906µJ (off) Standard 210 nC 22ns/163ns 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FGH30S130P

FGH30S130P

IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB

onsemi

69 -
RFQ
FGH30S130P

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1300 V 60 A 90 A 2.3V @ 15V, 30A 500 W - Standard 78 nC - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
HGTG40N60C3R

HGTG40N60C3R

75A, 600V N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

45 -
RFQ
HGTG40N60C3R

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Active - 600 V 75 A 200 A 2.2V @ 15V, 40A 291 W - Standard 330 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STGW40NC60V

STGW40NC60V

IGBT 600V 80A 260W TO247

STMicroelectronics

58 -
RFQ
STGW40NC60V

Datenblatt

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 80 A 200 A 2.5V @ 15V, 40A 260 W 330µJ (on), 720µJ (off) Standard 214 nC 43ns/140ns 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30

IGBT NPT 1200V 88A TO247-3

Microchip Technology

60 -
RFQ
APT40GR120B2D30

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 88 A 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W 1.38mJ (on), 906µJ (off) Standard 210 nC 22ns/163ns 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRG4PSH71KDPBF

IRG4PSH71KDPBF

IRG4PSH71 - DISCRETE IGBT WITH A

International Rectifier

81 -
RFQ
IRG4PSH71KDPBF

Datenblatt

- TO-274AA Bulk Obsolete - 1200 V 78 A 156 A 3.9V @ 15V, 42A 350 W 5.68mJ (on), 3.23mJ (off) Standard 410 nC 67ns/230ns 800V, 42A, 5Ohm, 15V 107 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
SLA5222

SLA5222

IGBT 600V 30A PFC

Sanken Electric USA Inc.

88 -
RFQ
SLA5222

Datenblatt

- 12-SIP, 7 Leads Tube Active - 600 V 30 A - - - - Standard - - - - 150°C (TJ) - - Through Hole 7-SIP
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