Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
IXBT2N250

IXBT2N250

IGBT 2500V 5A TO268AA

IXYS

404 -
RFQ
IXBT2N250

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 5 A 13 A 3.5V @ 15V, 2A 32 W - Standard 10.6 nC - - 920 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXBH42N170

IXBH42N170

IGBT 1700V 80A TO247AD

IXYS

792 -
RFQ
IXBH42N170

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 80 A 300 A 2.8V @ 15V, 42A 360 W - Standard 188 nC - - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXYX30N170CV1

IXYX30N170CV1

IGBT 1700V 108A PLUS247-3

IXYS

1,250 -
RFQ
IXYX30N170CV1

Datenblatt

XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1700 V 108 A 255 A 3.7V @ 15V, 30A 937 W 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) Standard 140 nC 28ns/150ns 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V 160 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXBH20N300

IXBH20N300

IGBT 3000V 50A TO247AD

IXYS

601 -
RFQ
IXBH20N300

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 50 A 140 A 3.2V @ 15V, 20A 250 W - Standard 105 nC - - 1.35 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXBH12N300

IXBH12N300

IGBT 3000V 30A 160W TO247

IXYS

150 -
RFQ
IXBH12N300

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 30 A 100 A 3.2V @ 15V, 12A 160 W - Standard 62 nC - - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXYN30N170CV1

IXYN30N170CV1

1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

IXYS

182 -
RFQ
IXYN30N170CV1

Datenblatt

XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active - 1700 V 88 A 275 A 3.7V @ 15V, 30A 680 W 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) Standard 140 nC 28ns/150ns 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V 160 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IXYK120N120C3

IXYK120N120C3

IGBT 1200V 240A 1500W TO264

IXYS

236 -
RFQ
IXYK120N120C3

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 1200 V 240 A 700 A 3.2V @ 15V, 120A 1500 W 6.75mJ (on), 5.1mJ (off) Standard 412 nC 35ns/176ns 600V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXYK)
IXYT25N250CHV

IXYT25N250CHV

IGBT 2500V 95A TO268

IXYS

910 -
RFQ
IXYT25N250CHV

Datenblatt

XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 95 A 235 A 4V @ 15V, 25A 937 W 8.3mJ (on), 7.3mJ (off) Standard 147 nC 15ns/230ns 1250V, 25A, 5Ohm, 15V 34 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXYX40N250CHV

IXYX40N250CHV

IGBT 2.5KV 70A TO247HV

IXYS

302 -
RFQ
IXYX40N250CHV

Datenblatt

XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active - 2500 V 70 A 380 A 4V @ 15V, 40A 1500 W 11.7mJ (on), 6.9mJ (off) Standard 270 nC 21ns/200ns 1250V, 40A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247PLUS-HV
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

IGBT 3000V 30A TO268HV

IXYS

150 -
RFQ
IXBT12N300HV

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 30 A 100 A 3.2V @ 15V, 12A 160 W - Standard 62 nC 64ns/180ns 1250V, 12A, 10Ohm, 15V 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXBT)
IXBH42N250

IXBH42N250

BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A

IXYS

144 -
RFQ
IXBH42N250

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 2500 V 104 A 400 A 3V @ 15V, 42A 500 W - Standard 200 nC 72ns/445ns 1250V, 42A, 20Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXYX25N250CV1HV

IXYX25N250CV1HV

IGBT 2500V 95A PLUS247-3

IXYS

293 -
RFQ
IXYX25N250CV1HV

Datenblatt

XPT™ TO-247-3 Tube Active - 2500 V 95 A 235 A 4V @ 15V, 25A 937 W 8.3mJ (on), 7.3mJ (off) Standard 147 nC 15ns/230ns 1250V, 25A, 5Ohm, 15V 220 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXYH30N450HV

IXYH30N450HV

IGBT 4500V 30A TO-247HV

IXYS

478 -
RFQ
IXYH30N450HV

Datenblatt

XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 4500 V 60 A 200 A 3.9V @ 15V, 30A 430 W - Standard 88 nC - 960V, 30A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
IXYX40N450HV

IXYX40N450HV

IGBT 4500V 95A TO247PLUS-HV

IXYS

207 -
RFQ
IXYX40N450HV

Datenblatt

XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active - 4500 V 95 A 350 A 3.9V @ 15V, 40A 660 W - Standard 170 nC 36ns/110ns 960V, 40A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247PLUS-HV
IXBF20N360

IXBF20N360

IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK

IXYS

435 -
RFQ
IXBF20N360

Datenblatt

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3600 V 45 A 220 A 3.4V @ 15V, 20A 230 W 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Standard 43 nC 18ns/238ns 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBA14N300HV

IXBA14N300HV

REVERSE CONDUCTING IGBT

IXYS

290 -
RFQ
IXBA14N300HV

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active NPT 3000 V 38 A 120 A 2.7V @ 15V, 14A 200 W - Standard 62 nC 40ns/166ns 960V, 14A, 20Ohm, 15V 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
IXBK55N300

IXBK55N300

IGBT 3000V 130A 625W TO264

IXYS

819 -
RFQ
IXBK55N300

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 3000 V 130 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 625 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
IXBH20N360HV

IXBH20N360HV

IGBT 3600V 70A TO247HV

IXYS

821 -
RFQ
IXBH20N360HV

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3600 V 70 A 220 A 3.4V @ 15V, 20A 430 W 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Standard 110 nC 18ns/238ns 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
IXGK75N250

IXGK75N250

IGBT NPT 2500V 170A TO264

IXYS

789 -
RFQ
IXGK75N250

Datenblatt

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 2500 V 170 A 530 A 3.6V @ 15V, 150A 780 W - Standard 410 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
IXEL40N400

IXEL40N400

IGBT 4000V 90A ISOPLUSI5

IXYS

54 -
RFQ
IXEL40N400

Datenblatt

- ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active - 4000 V 90 A 400 A 3.2V @ 15V, 40A 380 W 55mJ (on), 165mJ (off) Standard 275 nC 160ns/630ns 2800V, 40A, 33Ohm, 15V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
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