SCRs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Spannung - Aus-Zustand Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max) Strom - Gate-Trigger (Igt) (Max) Spannung - Einschaltzustand (Vtm) (Max) Strom - Einschaltzustand (It (AV)) (Max) Strom - Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Strom - Halten (Ih) (max.) Strom - Ausschaltzustand (Max) Strom - Nicht-Rep.-Spannung 50, 60 Hz (Itsm) SCR-Typ Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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SCRs

TomatoElec liefert SCRs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe, Heizungssteuerung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst siliziumgesteuerte Gleichrichter und weitere häufig verwendete Thyristorprodukte für Schalt- und Leistungsregelungsschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von SCRs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von SCRs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Spannung - Aus-Zustand Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max) Strom - Gate-Trigger (Igt) (Max) Spannung - Einschaltzustand (Vtm) (Max) Strom - Einschaltzustand (It (AV)) (Max) Strom - Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Strom - Halten (Ih) (max.) Strom - Ausschaltzustand (Max) Strom - Nicht-Rep.-Spannung 50, 60 Hz (Itsm) SCR-Typ Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
MCR100-4 A1G

MCR100-4 A1G

SCR 200V 800MA TO92

Taiwan Semiconductor Corporation

4,619 -
RFQ
MCR100-4 A1G

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete 200 V 800 mV 200 µA 1.7 V - 800 mA 5 mA 10 µA 10A @ 60Hz Sensitive Gate -40°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92
MCR100-5 A1G

MCR100-5 A1G

SCR 300V 800MA TO92

Taiwan Semiconductor Corporation

7,469 -
RFQ
MCR100-5 A1G

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete 300 V 800 mV 200 µA 1.7 V - 800 mA 5 mA 10 µA 10A @ 60Hz Sensitive Gate -40°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92
MCR100-6 A1G

MCR100-6 A1G

SCR 400V 800MA TO92

Taiwan Semiconductor Corporation

5,490 -
RFQ
MCR100-6 A1G

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete 400 V 800 mV 200 µA 1.7 V - 800 mA 5 mA 10 µA 10A @ 60Hz Sensitive Gate -40°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92
MCR100-7 A1G

MCR100-7 A1G

SCR 500V 800MA TO92

Taiwan Semiconductor Corporation

3,042 -
RFQ
MCR100-7 A1G

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete 500 V 800 mV 200 µA 1.7 V - 800 mA 5 mA 10 µA 10A @ 60Hz Sensitive Gate -40°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92
BT169H,412

BT169H,412

SCR 800V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

4,739 -
RFQ
BT169H,412

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active 800 V 800 mV 100 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 3 mA 100 µA 9A, 10A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
BT169D-L,112

BT169D-L,112

SCR 400V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

4,570 -
RFQ
BT169D-L,112

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Tube Active 400 V 800 mV 50 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 8A, 9A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
BT169D/DG,126

BT169D/DG,126

SCR 400V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

6,635 -
RFQ
BT169D/DG,126

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Active 400 V 800 mV 200 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 8A, 9A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
BT169G-LML

BT169G-LML

SCR 600V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

9,464 -
RFQ
BT169G-LML

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Active 600 V 800 mV 50 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 1 mA 2 µA 8A, 9A Sensitive Gate 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
BT169GEP

BT169GEP

SCR 600V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

9,416 -
RFQ
BT169GEP

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active 600 V 800 mV 200 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 8A, 9A Sensitive Gate 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
BT149B,126

BT149B,126

SCR 200V 800MA TO92-3

NXP USA Inc.

8,688 -
RFQ
BT149B,126

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete 200 V 800 mV 200 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 8A, 9A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
BT169H/L01EP

BT169H/L01EP

SCR 800V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

5,194 -
RFQ
BT169H/L01EP

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Tape & Reel (TR) Active 800 V 800 mV 100 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 3 mA 100 µA 9A, 10A Sensitive Gate -40°C ~ 125°C - - Through Hole TO-92-3
BT169H-LML

BT169H-LML

SCR 800V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

5,904 -
RFQ
BT169H-LML

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Active 800 V 800 mV 50 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 3 mA 100 µA 9A, 10A Sensitive Gate 125°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
BT149G,412

BT149G,412

SCR 600V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

3,941 -
RFQ
BT149G,412

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active 600 V 800 mV 200 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 8A, 9A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
SD1A220A-13

SD1A220A-13

THYRISTOR SMA T&R 5K

Diodes Incorporated

7,993 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
BT169H,112

BT169H,112

SCR 800V 800MA TO92-3

NXP USA Inc.

2,140 -
RFQ
BT169H,112

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tube Obsolete 800 V 800 mV 100 µA 1.7 V 500 mA 800 mA 3 mA 100 µA 9A, 10A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
P0111DA 1AA3

P0111DA 1AA3

SCR 400V 800MA TO92-3

STMicroelectronics

8,725 -
RFQ
P0111DA 1AA3

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active 400 V 800 mV 25 µA 1.95 V 500 mA 800 mA 5 mA 10 µA 7A, 8A Sensitive Gate -40°C ~ 125°C - - Through Hole TO-92-3
MCR100-3RL

MCR100-3RL

SCR 100V 800MA TO92-3

onsemi

3,203 -
RFQ
MCR100-3RL

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Tape & Reel (TR) Obsolete 100 V 800 mV 200 µA 1.7 V - 800 mA 5 mA 10 µA 10A @ 60Hz Sensitive Gate -40°C ~ 110°C - - Through Hole TO-92 (TO-226)
N0118GA,412

N0118GA,412

SCR 600V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

3,840 -
RFQ
N0118GA,412

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active 600 V 800 mV 7 µA 1.95 V 510 mA 800 mA 5 mA 10 µA 8A, 9A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
N0118GA,116

N0118GA,116

SCR 600V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

7,593 -
RFQ
N0118GA,116

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Reel (TR) Active 600 V 800 mV 7 µA 1.95 V 510 mA 800 mA 5 mA 10 µA 8A, 9A Sensitive Gate - - - Through Hole TO-92-3
N0118GAML

N0118GAML

SCR 600V 800MA TO92-3

WeEn Semiconductors

8,443 -
RFQ
N0118GAML

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Reel (TR) Active 600 V 800 mV 7 µA 1.95 V 510 mA 800 mA 5 mA 10 µA 8A, 9A Sensitive Gate -40°C ~ 125°C - - Through Hole TO-92-3
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