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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IRF710B

    IRF710B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 29,593 -
    RFQ
    		IRF710B

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTMS4800NR2G

    NTMS4800NR2G

    MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC

    onsemi

    		 2,483 -
    RFQ
    		NTMS4800NR2G

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.9A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 7.7 nC @ 4.5 V ±20V 940 pF @ 25 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDDL01N60ZT4G

    NDDL01N60ZT4G

    MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK

    onsemi

    		 9,172 -
    RFQ
    		NDDL01N60ZT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 800mA (Ta) 10V 15Ohm @ 400mA, 10V 4.5V @ 50µA 4.9 nC @ 10 V ±30V 92 pF @ 25 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    GSFW0501

    GSFW0501

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5

    Good-Ark Semiconductor

    		 19,995 -
    RFQ
    		GSFW0501

    Datenblatt

         		- SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V, 10V 6Ohm @ 130mA, 10V 3V @ 250µA - ±20V 32 pF @ 20 V - 150mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-883
    2SJ463A-T1-AT

    2SJ463A-T1-AT

    MOSFET P-CH 30V 100MA SC70

    Renesas Electronics Corporation

    		 15,000 -
    RFQ
    		2SJ463A-T1-AT

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) - 13Ohm @ 10mA, 10V 1.7V @ 10µA - - 5000 pF @ 3 V - - - - - Surface Mount SC-70
    NTD4813NH-35G

    NTD4813NH-35G

    MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

    onsemi

    		 4,411 -
    RFQ
    		NTD4813NH-35G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.6A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 11.5V 13mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±20V 940 pF @ 12 V - 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SK2158(0)-T1B-A

    2SK2158(0)-T1B-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 13,800 -
    RFQ
    		2SK2158(0)-T1B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD95N02R-001

    NTD95N02R-001

    MOSFET N-CH 24V 12A/32A IPAK

    onsemi

    		 8,540 -
    RFQ
    		NTD95N02R-001

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    SI3456DV

    SI3456DV

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 13,529 -
    RFQ
    		SI3456DV

    Datenblatt

         		PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.1A (Ta) 4.5V, 10V 45mOhm @ 5.1A, 10V 2V @ 250µA 12.6 nC @ 10 V ±20V 463 pF @ 15 V - 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    NTD4865N-1G

    NTD4865N-1G

    MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK

    onsemi

    		 3,468 -
    RFQ
    		NTD4865N-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 8.5A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 10.9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 10.8 nC @ 4.5 V ±20V 827 pF @ 12 V - 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SK3291-TD-E

    2SK3291-TD-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 12,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3290BNTL-E

    2SK3290BNTL-E

    N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 12,000 -
    RFQ
    		2SK3290BNTL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03J4DPA-00#J5A

    RJK03J4DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 12,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF6007

    SSF6007

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5

    Good-Ark Semiconductor

    		 11,949 -
    RFQ
    		SSF6007

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Tc) 10V 7Ohm @ 130mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 45 pF @ 5 V - 230mW (Tc) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
    NDC631N

    NDC631N

    MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

    Fairchild Semiconductor

    		 11,785 -
    RFQ
    		NDC631N

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.1A (Ta) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 4.1A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V 8V 365 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    IRFW720BTMNL

    IRFW720BTMNL

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 11,200 -
    RFQ
    		IRFW720BTMNL

    Datenblatt

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.65A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NDDL01N60Z-1G

    NDDL01N60Z-1G

    MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK

    onsemi

    		 5,721 -
    RFQ
    		NDDL01N60Z-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 800mA (Ta) 10V 15Ohm @ 400mA, 10V 4.5V @ 50µA 4.9 nC @ 10 V ±30V 92 pF @ 25 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD85N02RT4G

    NTD85N02RT4G

    MOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAK

    onsemi

    		 8,202 -
    RFQ
    		NTD85N02RT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 17.7 nC @ 5 V ±20V 2050 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    2SJ562-TD-E

    2SJ562-TD-E

    PCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 9,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SMC6280P

    SMC6280P

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    		 9,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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