FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
SI3442DV

SI3442DV

MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

Fairchild Semiconductor

32,796 -
RFQ
SI3442DV

Datenblatt

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.1A (Ta) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 4.1A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V 8V 365 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
2SK3348CNTL-E

2SK3348CNTL-E

N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

27,000 -
RFQ
2SK3348CNTL-E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6406-TL-E

MCH6406-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

27,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3437-TL-E

CPH3437-TL-E

NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

23,745 -
RFQ
CPH3437-TL-E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTHS5404T1

NTHS5404T1

MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET

onsemi

23,169 -
RFQ
NTHS5404T1

Datenblatt

- 8-SMD, Flat Lead Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.2A (Ta) 2.5V, 4.5V - - 18 nC @ 4.5 V ±12V - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
CPH3457-TL-H

CPH3457-TL-H

MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH

onsemi

6,928 -
RFQ
CPH3457-TL-H

Datenblatt

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 95mOhm @ 1.5A, 4.5V - 3.5 nC @ 4.5 V ±12V 265 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
2SJ381-TD-E

2SJ381-TD-E

PCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

20,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1590(0)-T1B-AT

2SK1590(0)-T1B-AT

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

17,551 -
RFQ
2SK1590(0)-T1B-AT

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD6632

FDD6632

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK

Fairchild Semiconductor

17,099 -
RFQ
FDD6632

Datenblatt

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 4.5V, 10V 70mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±20V 255 pF @ 15 V - 15W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
MMDF2P01HDR2

MMDF2P01HDR2

P-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

17,008 -
RFQ
MMDF2P01HDR2

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3485-TD-E

2SK3485-TD-E

NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

15,534 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ576APTL-E

2SJ576APTL-E

P-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

15,000 -
RFQ
2SJ576APTL-E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3418-TL-H

CPH3418-TL-H

MOSFET

Sanyo

15,000 -
RFQ
CPH3418-TL-H

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4865N-35G

NTD4865N-35G

MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK

onsemi

12,975 -
RFQ
NTD4865N-35G

Datenblatt

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 8.5A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 10.9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 10.8 nC @ 4.5 V ±20V 827 pF @ 12 V - 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
MCH3315-TL-E

MCH3315-TL-E

TRANSISTOR

onsemi

12,000 -
RFQ
MCH3315-TL-E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD70N03R-1

NTD70N03R-1

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

10,125 -
RFQ
NTD70N03R-1

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSS84AKW

BSS84AKW

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60

Good-Ark Semiconductor

9,522 -
RFQ
BSS84AKW

Datenblatt

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 300mA (Ta) 4.5V, 10V 4Ohm @ 300mA, 10V 2V @ 250µA - ±20V 41 pF @ 25 V - 270mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
NTD4906N-35H

NTD4906N-35H

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

9,000 -
RFQ
NTD4906N-35H

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK160A-L-A

2SK160A-L-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

6,535 -
RFQ
2SK160A-L-A

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
GSFW3004

GSFW3004

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V

Good-Ark Semiconductor

6,000 -
RFQ
GSFW3004

Datenblatt

- SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 400mA (Tc) 2.5V, 4.5V 560mOhm @ 200mA, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.2 nC @ 4.5 V ±12V 72.9 pF @ 15 V - 155mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-883
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