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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    2N7002-13-F

    2N7002-13-F

    DIODE

    Diodes Incorporated

    		 2,306 -
    RFQ
    		2N7002-13-F

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170mA (Ta) 5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.23 nC @ 4.5 V ±20V 50 pF @ 25 V - 370mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    DMP2004TK

    DMP2004TK

    DIODE

    Diodes Incorporated

    		 4,546 -
    RFQ
    		DMP2004TK

    Datenblatt

         		- SOT-523 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 430mA (Ta) 1.8V, 4.5V 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.97 nC @ 8 V ±8V 47 pF @ 16 V - 230mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-523
    MSC025SMA330B4

    MSC025SMA330B4

    MOSFET SIC 3300 V 25 MOHM TO-247

    Microchip Technology

    		 5,810 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 104A (Tc) 20V 31mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 7mA 410 nC @ 20 V +23V, -10V 8720 pF @ 2640 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IPB042N10NF2SATMA1

    IPB042N10NF2SATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 5,414 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CMS03N06T-HF

    CMS03N06T-HF

    MOSFET N-CH 60V 3A SOT23-3

    Comchip Technology

    		 7,640 -
    RFQ
    		CMS03N06T-HF

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3A, 10V 2V @ 250µA 14.6 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 30 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    CMS09N10D-HF

    CMS09N10D-HF

    MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK

    Comchip Technology

    		 3,960 -
    RFQ
    		CMS09N10D-HF

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.6A (Tc) 10V 140mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 690 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CMS12P03Q8-HF

    CMS12P03Q8-HF

    MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP

    Comchip Technology

    		 2,880 -
    RFQ
    		CMS12P03Q8-HF

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 44.4 nC @ 10 V ±20V 2419 pF @ 15 V - 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    AUIRFU8403-701TRL

    AUIRFU8403-701TRL

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 8,521 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    P3M173K0T3

    P3M173K0T3

    SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3

    PN Junction Semiconductor

    		 7,965 -
    RFQ
    		P3M173K0T3

    Datenblatt

         		P3M TO-220-2 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 4A 15V 2.6Ohm @ 600mA, 15V 2.2V @ 600µA (Typ) - +19V, -8V - - 75W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2L
    P3M12025K4

    P3M12025K4

    SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4

    PN Junction Semiconductor

    		 4,264 -
    RFQ
    		P3M12025K4

    Datenblatt

         		P3M TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 112A 15V 35mOhm @ 50A, 15V 2.2V @ 50mA (Typ) - +19V, -8V - - 577W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    P3M171K0K3

    P3M171K0K3

    SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 3,426 -
    RFQ
    		P3M171K0K3

    Datenblatt

         		P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 6A 15V 1.4Ohm @ 2A, 15V 2.2V @ 2mA (Typ) - +19V, -8V - - 68W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12080K3

    P3M12080K3

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 2,339 -
    RFQ
    		P3M12080K3

    Datenblatt

         		P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 47A 15V 96mOhm @ 20A, 15V 2.4V @ 5mA (Typ) - +21V, -8V - - 221W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M06040K3

    P3M06040K3

    SICFET N-CH 650V 68A TO247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 7,418 -
    RFQ
    		P3M06040K3

    Datenblatt

         		P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 68A 15V 50mOhm @ 40A, 15V 2.4V @ 7.5mA (Typ) - +20V, -8V - - 254W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12160K3

    P3M12160K3

    SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 4,073 -
    RFQ
    		P3M12160K3

    Datenblatt

         		P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 19A 15V 192mOhm @ 10A, 15V 2.4V @ 2.5mA (Typ) - +21V, -8V - - 110W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12080K4

    P3M12080K4

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4

    PN Junction Semiconductor

    		 4,112 -
    RFQ
    		P3M12080K4

    Datenblatt

         		P3M TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 47A 15V 96mOhm @ 20A, 15V 2.4V @ 5mA (Typ) - +21V, -8V - - 221W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    P3M06060T3

    P3M06060T3

    SICFET N-CH 650V 46A TO220-3

    PN Junction Semiconductor

    		 6,339 -
    RFQ
    		P3M06060T3

    Datenblatt

         		P3M TO-220-2 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A 15V 79mOhm @ 20A, 15V 2.2V @ 20mA (Typ) - +20V, -8V - - 170W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2L
    FDPF18N50T-G

    FDPF18N50T-G

    FDPF18N50T-G

    onsemi

    		 9,360 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFU2405PBFAKLA1

    IRFU2405PBFAKLA1

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    		 9,785 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMT800120DC-22897

    FDMT800120DC-22897

    FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

    onsemi

    		 2,846 -
    RFQ
    		FDMT800120DC-22897

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 20A (Ta), 128A (Tc) 6V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 7850 pF @ 60 V - 3.2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Dual Cool™88
    STP270N8F7W

    STP270N8F7W

    MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB

    STMicroelectronics

    		 6,875 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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