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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    MCP04N80-BP

    MCP04N80-BP

    MOSFET N-CH

    Micro Commercial Co

    		 3,209 -
    RFQ
    		MCP04N80-BP

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 598 pF @ 50 V - 63W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    MCU40P04-TP

    MCU40P04-TP

    MOSFET P-CH

    Micro Commercial Co

    		 2,723 -
    RFQ
    		MCU40P04-TP

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A 10V 14mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2960 pF @ 20 V - 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    LSIC1MO120G0120

    LSIC1MO120G0120

    MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L

    Littelfuse Inc.

    		 9,987 -
    RFQ
    		LSIC1MO120G0120

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 27A (Tc) 20V 150mOhm @ 14A, 20V 4V @ 7mA 63 nC @ 20 V +22V, -6V 1130 pF @ 800 V - 156W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    LSIC1MO120G0080

    LSIC1MO120G0080

    MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L

    Littelfuse Inc.

    		 7,766 -
    RFQ
    		LSIC1MO120G0080

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 92 nC @ 20 V +22V, -6V 170 pF @ 800 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    LSIC1MO120G0160

    LSIC1MO120G0160

    MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L

    Littelfuse Inc.

    		 6,871 -
    RFQ
    		LSIC1MO120G0160

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 20V 200mOhm @ 10A, 20V 4V @ 5mA 50 nC @ 20 V +22V, -6V 890 pF @ 800 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    AUXNSF2804STRL7P

    AUXNSF2804STRL7P

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    		 9,055 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TK430A60F,S4X(S

    TK430A60F,S4X(S

    MOSFET N-CH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 6,663 -
    RFQ
    		TK430A60F,S4X(S

    Datenblatt

         		U-MOSIX TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Ta) 10V 430mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1.75mA 48 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
    TK370A60F,S4X(S

    TK370A60F,S4X(S

    MOSFET N-CH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 4,152 -
    RFQ
    		TK370A60F,S4X(S

    Datenblatt

         		U-MOSIX TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 370mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 2.04mA 55 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
    FQD9N25TM-SBEK002

    FQD9N25TM-SBEK002

    MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

    onsemi

    		 6,769 -
    RFQ

    -

    		 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FDP13AN06A0-SW82126

    FDP13AN06A0-SW82126

    MOSFET N-CH 60V TO220-3

    onsemi

    		 3,392 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 6V, 10V 13.5mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IGT40R070D1ATMA1

    IGT40R070D1ATMA1

    GAN HV

    Infineon Technologies

    		 2,653 -
    RFQ
    		IGT40R070D1ATMA1

    Datenblatt

         		CoolGaN™ 8-PowerSFN Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 400 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 382 pF @ 320 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
    IGOT60R070D1E8220AUMA1

    IGOT60R070D1E8220AUMA1

    GAN HV

    Infineon Technologies

    		 9,087 -
    RFQ

    -

    		 CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-87
    IGT60R070D1E8220ATMA1

    IGT60R070D1E8220ATMA1

    GAN HV

    Infineon Technologies

    		 3,479 -
    RFQ

    -

    		 CoolGaN™ 8-PowerSFN Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
    IGO60R070D1E8220AUMA1

    IGO60R070D1E8220AUMA1

    GAN HV

    Infineon Technologies

    		 4,134 -
    RFQ

    -

    		 CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-85
    PHM2230DLS/1X

    PHM2230DLS/1X

    MOSFET

    Nexperia USA Inc.

    		 8,234 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PSMN0R7-25YLD/1X

    PSMN0R7-25YLD/1X

    MOSFET

    Nexperia USA Inc.

    		 2,768 -
    RFQ
    		PSMN0R7-25YLD/1X

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PSMN3R0-30YLD/1X

    PSMN3R0-30YLD/1X

    MOSFET

    Nexperia USA Inc.

    		 3,140 -
    RFQ
    		PSMN3R0-30YLD/1X

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK9Y7R6-40E/DMANX

    BUK9Y7R6-40E/DMANX

    MOSFET

    Nexperia USA Inc.

    		 5,397 -
    RFQ
    		BUK9Y7R6-40E/DMANX

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PHM2230DLSX

    PHM2230DLSX

    MOSFET

    Nexperia USA Inc.

    		 7,564 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PSMN1R0-25YLD/1X

    PSMN1R0-25YLD/1X

    MOSFET

    Nexperia USA Inc.

    		 3,631 -
    RFQ
    		PSMN1R0-25YLD/1X

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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