Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
VS-C16CP07L-M3

VS-C16CP07L-M3

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,963 -
RFQ

-

- TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 85 µA @ 650 V 320pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SM4001-CT

SM4001-CT

DIODE GP 50V 1A MELF DO-213AB

Diotec Semiconductor

8,040 -
RFQ
SM4001-CT

Datenblatt

- DO-213AB, MELF Strip Active Standard 50 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 50 V - - - Surface Mount DO-213AB (MELF) -50°C ~ 175°C
P2500X-CT

P2500X-CT

DIODE AVALANCHE 1.8KV 25A P600

Diotec Semiconductor

9,312 -
RFQ
P2500X-CT

Datenblatt

- P600, Axial Strip Active Avalanche 1800 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1.8 V - - - Through Hole P600 -55°C ~ 175°C
1N4005GP-AQ-CT

1N4005GP-AQ-CT

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Diotec Semiconductor

4,442 -
RFQ
1N4005GP-AQ-CT

Datenblatt

- DO-204AC, DO-41, Axial Strip Active Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AC (DO-41) -50°C ~ 175°C
SM5406-CT

SM5406-CT

DIODE GP 600V 3A MELF DO-213AB

Diotec Semiconductor

8,271 -
RFQ
SM5406-CT

Datenblatt

- DO-213AB, MELF Strip Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 600 V - - - Surface Mount DO-213AB (MELF) -50°C ~ 175°C
SM4007-CT

SM4007-CT

DIODE GP 1KV 1A MELF DO-213AB

Diotec Semiconductor

2,031 -
RFQ
SM4007-CT

Datenblatt

- DO-213AB, MELF Strip Active Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1 V - - - Surface Mount DO-213AB (MELF) -50°C ~ 175°C
BY550-50-CT

BY550-50-CT

DIODE GEN PURP 50V 5A DO201

Diotec Semiconductor

7,342 -
RFQ
BY550-50-CT

Datenblatt

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 50 V 5A 1 V @ 5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 50 V - - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
SM4003-CT

SM4003-CT

DIODE GP 200V 1A MELF DO-213AB

Diotec Semiconductor

4,618 -
RFQ
SM4003-CT

Datenblatt

- DO-213AB, MELF Strip Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-213AB (MELF) -50°C ~ 175°C
P600G-CT

P600G-CT

DIODE GEN PURP 400V 6A P600

Diotec Semiconductor

7,066 -
RFQ
P600G-CT

Datenblatt

- P600, Axial Strip Active Standard 400 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 400 V - - - Through Hole P600 -50°C ~ 150°C
SM4002-CT

SM4002-CT

DIODE GP 100V 1A MELF DO-213AB

Diotec Semiconductor

3,475 -
RFQ
SM4002-CT

Datenblatt

- DO-213AB, MELF Strip Active Standard 100 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 100 V - - - Surface Mount DO-213AB (MELF) -50°C ~ 175°C
GL34B-CT

GL34B-CT

DIODE GP 100V 500MA DO213AA

Diotec Semiconductor

2,178 -
RFQ
GL34B-CT

Datenblatt

- DO-213AA Strip Active Standard 100 V 500mA 1.2 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 100 V - - - Surface Mount DO-213AA (MINIMELF) -50°C ~ 175°C
P600B-CT

P600B-CT

DIODE GEN PURP 100V 6A P600

Diotec Semiconductor

6,465 -
RFQ
P600B-CT

Datenblatt

- P600, Axial Strip Active Standard 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 100 V - - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
BY550-200-CT

BY550-200-CT

DIODE GEN PURP 200V 5A DO201

Diotec Semiconductor

7,792 -
RFQ
BY550-200-CT

Datenblatt

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 200 V 5A 1 V @ 5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 200 V - - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
BY133-CT

BY133-CT

DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41

Diotec Semiconductor

9,567 -
RFQ
BY133-CT

Datenblatt

- DO-204AC, DO-41, Axial Strip Active Standard 1300 V 1A 1.3 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1.3 V - - - Through Hole DO-204AC (DO-41) -50°C ~ 175°C
S2W-CT

S2W-CT

DIODE GEN PURP 1.6KV 2A SMB

Diotec Semiconductor

6,460 -
RFQ
S2W-CT

Datenblatt

- DO-214AA, SMB Strip Active Standard 1600 V 2A 1.15 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1.6 V - - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -50°C ~ 150°C
SL1K-CT

SL1K-CT

DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123F

Diotec Semiconductor

9,599 -
RFQ
SL1K-CT

Datenblatt

- SOD-123F Strip Active Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1 µs 1 µA @ 800 V - - - Surface Mount SOD-123F (SMF) -50°C ~ 150°C
BY880-1000-CT

BY880-1000-CT

DIODE GEN PURP 1KV 8A DO201

Diotec Semiconductor

2,616 -
RFQ
BY880-1000-CT

Datenblatt

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 1000 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1 V - - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
P600J-CT

P600J-CT

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

Diotec Semiconductor

6,284 -
RFQ
P600J-CT

Datenblatt

- P600, Axial Strip Active Standard 600 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
BY550-100-CT

BY550-100-CT

DIODE GEN PURP 100V 5A DO201

Diotec Semiconductor

5,571 -
RFQ
BY550-100-CT

Datenblatt

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 100 V 5A 1 V @ 5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 100 V - - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
BY255-AQ-CT

BY255-AQ-CT

DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201

Diotec Semiconductor

7,003 -
RFQ
BY255-AQ-CT

Datenblatt

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 1300 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1.3 V - - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 150°C
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