Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
SIDC07D60F6X1SA1

SIDC07D60F6X1SA1

DIODE GEN PURP 600V 22.5A DIE

Infineon Technologies

6,803 -
RFQ
SIDC07D60F6X1SA1

Datenblatt

- Die Bulk Obsolete Standard 600 V 22.5A 1.6 V @ 22.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
SIDC03D60C8X1SA2

SIDC03D60C8X1SA2

DIODE GEN PURP 600V 10A DIE

Infineon Technologies

6,874 -
RFQ
SIDC03D60C8X1SA2

Datenblatt

- Die Bulk Active Standard 600 V 10A 1.95 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
SIDC14D60F6X1SA1

SIDC14D60F6X1SA1

DIODE GEN PURP 600V 45A DIE

Infineon Technologies

3,961 -
RFQ
SIDC14D60F6X1SA1

Datenblatt

- Die Bulk Obsolete Standard 600 V 45A 1.6 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
SIDC14D60C8X1SA2

SIDC14D60C8X1SA2

DIODE GEN PURP 600V 50A DIE

Infineon Technologies

5,185 -
RFQ
SIDC14D60C8X1SA2

Datenblatt

- Die Bulk Active Standard 600 V 50A 1.9 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
DFLS130L-7-G

DFLS130L-7-G

DIODE SCHOTTKY 30V 1A PWRDI123

Diodes Incorporated

4,042 -
RFQ

-

- POWERDI®123 Strip Obsolete Schottky 30 V 1A 310 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V 76pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount PowerDI™ 123 -40°C ~ 125°C
1N5819A-01

1N5819A-01

DIODE SCHOTTKY DO41

Diodes Incorporated

2,656 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
B0540W-7-G

B0540W-7-G

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

Diodes Incorporated

7,155 -
RFQ

-

- SOD-123 Strip Obsolete Schottky 40 V 500mA 510 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 40 V 170pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-123 -65°C ~ 150°C
SB540-A

SB540-A

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD

Diodes Incorporated

9,809 -
RFQ

-

- DO-201AD, Axial Bulk Obsolete Schottky 40 V 5A 550 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 125°C
SB120A-T

SB120A-T

DIODE SCHOTTKY DO41

Diodes Incorporated

9,578 -
RFQ

-

- - Strip Obsolete - - - - - - - - - - - - -
DCG35C1200HR

DCG35C1200HR

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

IXYS

8,464 -
RFQ
DCG35C1200HR

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
DCG10P1200HR

DCG10P1200HR

DIODE SCHOTT 1.2KV 12.5A ISO247

IXYS

3,586 -
RFQ
DCG10P1200HR

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12.5A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
DCG17P1200HR

DCG17P1200HR

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

IXYS

6,538 -
RFQ
DCG17P1200HR

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
DCG20C1200HR

DCG20C1200HR

DIODE SIC 1.2KV 12.5A ISO247

IXYS

3,933 -
RFQ
DCG20C1200HR

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12.5A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
00670

00670

REC 800V/1A DO41 1N4006

Vicor Corporation

6,054 -
RFQ

-

* - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - -
CPD65-BAV45-CM

CPD65-BAV45-CM

DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE

Central Semiconductor Corp

8,468 -
RFQ
CPD65-BAV45-CM

Datenblatt

- Die Tray Obsolete Standard 20 V 50mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 600 ns 10 pA @ 20 V 1.3pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
STPS1150AFN

STPS1150AFN

DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMAFLAT

STMicroelectronics

6,179 -
RFQ
STPS1150AFN

Datenblatt

ECOPACK®2 DO-221AC, SMA Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 1A 820 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 150 V - - - Surface Mount SMAflat 175°C (Max)
STPS3H100UFNY

STPS3H100UFNY

3 A 100 V SCHOTTKY RECTIFIER

STMicroelectronics

3,494 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
CSIC10-1200

CSIC10-1200

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Central Semiconductor Corp

4,931 -
RFQ
CSIC10-1200

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
RBE05AS20AT2R

RBE05AS20AT2R

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA VML2

Rohm Semiconductor

4,176 -
RFQ
RBE05AS20AT2R

Datenblatt

- 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 500mA 530 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 20 V - - - Surface Mount VML2 125°C
WNSC201200CWQ

WNSC201200CWQ

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-3

WeEn Semiconductors

4,087 -
RFQ
WNSC201200CWQ

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C (Max)
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