Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
STGW40H120DF2

STGW40H120DF2

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3

STMicroelectronics

430 -
RFQ
STGW40H120DF2

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 160 A 2.6V @ 15V, 40A 468 W 1mJ (on), 1.32mJ (off) Standard 187 nC 18ns/152ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 488 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IKW40N120CH7XKSA1

IKW40N120CH7XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3

Infineon Technologies

322 -
RFQ
IKW40N120CH7XKSA1

Datenblatt

TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 82 A 160 A 2.15V @ 15V, 40A 330 W 1.69mJ (on), 920µJ (off) Standard 290 nC 36ns/336ns - 120 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U06
IKW40N120CS7XKSA1

IKW40N120CS7XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3

Infineon Technologies

240 -
RFQ
IKW40N120CS7XKSA1

Datenblatt

TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 82 A 120 A 2V @ 15V, 40A 357 W 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Standard 230 nC 27ns/190ns 600V, 40A, 4Ohm, 15V 175 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

IGBT PT 600V 100A TO247

Microchip Technology

150 -
RFQ
APT30GP60BDQ1G

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 100 A 120 A 2.7V @ 15V, 30A 463 W 260µJ (on), 250µJ (off) Standard 90 nC 13ns/55ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
STGW30NC60KD

STGW30NC60KD

IGBT 600V 60A 200W TO247

STMicroelectronics

110 -
RFQ
STGW30NC60KD

Datenblatt

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Active - 600 V 60 A 125 A 2.7V @ 15V, 20A 200 W 350µJ (on), 435µJ (off) Standard 96 nC 29ns/120ns 480V, 20A, 10Ohm, 15V 40 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IKW75N65EL5XKSA1

IKW75N65EL5XKSA1

IGBT 650V 80A TO247-3

Infineon Technologies

565 -
RFQ
IKW75N65EL5XKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ 5 TO-247-3 Tube Active - 650 V 80 A 300 A 1.35V @ 15V, 75A 536 W 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Standard 436 nC 40ns/275ns 400V, 75A, 4Ohm, 15V 114 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
RGTVX2TS65DGC11

RGTVX2TS65DGC11

IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247N

Rohm Semiconductor

150 -
RFQ
RGTVX2TS65DGC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 111 A 240 A 1.9V @ 15V, 60A 319 W 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) Standard 123 nC 49ns/150ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N

Rohm Semiconductor

703 -
RFQ
RGS80TS65DHRC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 73 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 272 W 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Standard 48 nC 37ns/112ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 103 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1

IGBT PT 600V 75A TO247AD

IXYS

224 -
RFQ
IXGH48N60C3D1

Datenblatt

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 75 A 250 A 2.5V @ 15V, 30A 300 W 410µJ (on), 230µJ (off) Standard 77 nC 19ns/60ns 400V, 30A, 3Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IKW50N120CS7XKSA1

IKW50N120CS7XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3

Infineon Technologies

144 -
RFQ
IKW50N120CS7XKSA1

Datenblatt

TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 82 A 150 A 2V @ 15V, 50A 428 W 2.8mJ (on), 2.2mJ (off) Standard 290 nC 29ns/170ns 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V 165 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
AIKW50N60CTXKSA1

AIKW50N60CTXKSA1

IC DISCRETE 600V TO247-3

Infineon Technologies

387 -
RFQ
AIKW50N60CTXKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 80 A 150 A 2V @ 15V, 50A 333 W 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Standard 310 nC 26ns/299ns 400V, 50A, 7Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
FGH40T120SMD

FGH40T120SMD

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3

onsemi

5,425 -
RFQ
FGH40T120SMD

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 555 W 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Standard 370 nC 40ns/475ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 65 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

IGBT TRENCH FS 600V 155A TO264

Microchip Technology

175 -
RFQ
APT75GN60LDQ3G

Datenblatt

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 155 A 225 A 1.85V @ 15V, 75A 536 W 2500µJ (on), 2140µJ (off) Standard 485 nC 47ns/385ns 400V, 75A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IKQ75N120CS6XKSA1

IKQ75N120CS6XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247

Infineon Technologies

2,266 -
RFQ
IKQ75N120CS6XKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 150 A 300 A 2.15V @ 15V, 75A 880 W 5.15mJ (on), 2.95mJ (off) Standard 530 nC 34ns/300ns 600V, 75A, 4Ohm, 15V 440 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-46
IXYA8N250CHV

IXYA8N250CHV

IGBT 2500V 29A TO263HV

IXYS

229 -
RFQ
IXYA8N250CHV

Datenblatt

XPT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 2500 V 29 A 70 A 4V @ 15V, 8A 280 W 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Standard 45 nC 11ns/180ns 1250V, 8A, 15Ohm, 15V 5 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
RGS80TSX2HRC11

RGS80TSX2HRC11

IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

434 -
RFQ
RGS80TSX2HRC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 104 nC 49ns/199ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
AIMDQ75R040M1HXUMA1

AIMDQ75R040M1HXUMA1

IGBT

Infineon Technologies

834 -
RFQ
AIMDQ75R040M1HXUMA1

Datenblatt

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

IGBT 600V 120A 600W TO247

IXYS

294 -
RFQ
IXXH50N60B3D1

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 120 A 200 A 1.8V @ 15V, 36A 600 W 670µJ (on), 740µJ (off) Standard 70 nC 27ns/100ns 360V, 36A, 5Ohm, 15V 25 ns - - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
IXBH16N170

IXBH16N170

IGBT 1700V 40A TO247AD

IXYS

174 -
RFQ
IXBH16N170

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 40 A 120 A 3.3V @ 15V, 16A 250 W - Standard 72 nC - - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN

IGBT 1200V 75A UFS

onsemi

450 -
RFQ
FGY75T120SQDN

Datenblatt

- TO-247-3 Variant Tube Active Field Stop 1200 V 150 A 300 A 1.95V @ 15V, 75A 790 W 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Standard 399 nC 64ns/332ns 600V, 75A, 10Ohm, 15V 99 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
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