Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
IRGS4056DPBF

IRGS4056DPBF

IGBT 600V 24A 140W D2PAK

Infineon Technologies

8,043 -
RFQ
IRGS4056DPBF

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Trench 600 V 24 A 48 A 1.85V @ 15V, 12A 140 W 75µJ (on), 225µJ (off) Standard 25 nC 31ns/83ns 400V, 12A, 22Ohm, 15V 68 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRGS4062DPBF

IRGS4062DPBF

IGBT 600V 48A 250W D2PAK

Infineon Technologies

5,878 -
RFQ
IRGS4062DPBF

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Trench 600 V 48 A 96 A 1.95V @ 15V, 24A 250 W 115µJ (on), 600µJ (off) Standard 50 nC 41ns/104ns 400V, 24A, 10Ohm, 15V 89 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FGH75N60UFTU

FGH75N60UFTU

IGBT 600V 150A 452W TO247

onsemi

3,262 -
RFQ
FGH75N60UFTU

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Field Stop 600 V 150 A 225 A 2.4V @ 15V, 75A 452 W 3.05mJ (on), 1.35mJ (off) Standard 250 nC 27ns/128ns 400V, 75A, 3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXGA24N120C3

IXGA24N120C3

IGBT 1200V 48A 250W TO263

IXYS

4,676 -
RFQ
IXGA24N120C3

Datenblatt

GenX3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 1200 V 48 A 96 A 4.2V @ 15V, 20A 250 W 1.16mJ (on), 470µJ (off) Standard 79 nC 16ns/93ns 600V, 20A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

onsemi

3,594 -
RFQ
FGA50N100BNTD2

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete NPT and Trench 1000 V 50 A 200 A 2.9V @ 15V, 60A 156 W - Standard 257 nC 34ns/243ns 600V, 60A, 10Ohm, 15V 75 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
FGA50N100BNTTU

FGA50N100BNTTU

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

onsemi

9,942 -
RFQ
FGA50N100BNTTU

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete NPT and Trench 1000 V 50 A 200 A 2.9V @ 15V, 60A 156 W - Standard 257 nC 34ns/243ns 600V, 60A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
FGA60N60UFDTU

FGA60N60UFDTU

IGBT 600V 120A 298W TO3P

onsemi

4,927 -
RFQ
FGA60N60UFDTU

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete Field Stop 600 V 120 A 180 A 2.4V @ 15V, 60A 298 W 1.81mJ (on), 810µJ (off) Standard 188 nC 23ns/130ns 400V, 60A, 5Ohm, 15V 47 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
FGH40N65UFDTU

FGH40N65UFDTU

IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

onsemi

8,813 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete Field Stop 650 V 80 A 120 A 2.4V @ 15V, 40A 290 W 1.19mJ (on), 460µJ (off) Standard 120 nC 24ns/112ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 45 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

IGBT 400V 1W 8-SOIC

Toshiba Semiconductor and Storage

3,282 -
RFQ
GT10G131(TE12L,Q)

Datenblatt

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V - 200 A 2.3V @ 4V, 200A 1 W - Standard - 3.1µs/2µs - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

3,973 -
RFQ
GT10J312(Q)

Datenblatt

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete - 600 V 10 A 20 A 2.7V @ 15V, 10A 60 W - Standard - 400ns/400ns 300V, 10A, 100Ohm, 15V 200 ns 150°C (TJ) - - Through Hole -
GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Toshiba Semiconductor and Storage

8,017 -
RFQ

-

- TO-3PL Tube Obsolete - 1000 V 60 A 120 A 2.8V @ 15V, 60A 170 W - Standard - 330ns/700ns - 2.5 µs 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(LH)
GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

2,169 -
RFQ
GT8G133(TE12L,Q)

Datenblatt

- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V - 150 A 2.9V @ 4V, 150A 600 mW - Standard - 1.7µs/2µs - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

Toshiba Semiconductor and Storage

8,794 -
RFQ

-

- TO-3PL Tube Obsolete - 600 V 50 A 100 A 2.45V @ 15V, 50A 240 W 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) Standard - 90ns/300ns 300V, 50A, 13Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(LH)
IRG4PC50FD-EPBF

IRG4PC50FD-EPBF

IGBT 600V 70A 200W TO247AD

Infineon Technologies

3,461 -
RFQ
IRG4PC50FD-EPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 70 A 280 A 1.6V @ 15V, 39A 200 W 1.5mJ (on), 2.4mJ (off) Standard 190 nC 55ns/240ns 480V, 39A, 5Ohm, 15V 50 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRG4PH50S-EPBF

IRG4PH50S-EPBF

IGBT 1200V 57A TO247AD

Infineon Technologies

4,927 -
RFQ
IRG4PH50S-EPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete - 1200 V 57 A 114 A 1.7V @ 15V, 33A 200 W 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Standard 167 nC 32ns/845ns 960V, 33A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IRG6I320UPBF

IRG6I320UPBF

IGBT 330V 24A 39W TO220ABFP

Infineon Technologies

4,252 -
RFQ
IRG6I320UPBF

Datenblatt

- TO-220-3 Tube Obsolete Trench 330 V 24 A - 1.65V @ 15V, 24A 39 W - Standard 46 nC 24ns/89ns 196V, 12A, 10Ohm - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRG6I330UPBF

IRG6I330UPBF

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

Infineon Technologies

4,480 -
RFQ
IRG6I330UPBF

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete Trench 330 V 28 A - 1.55V @ 15V, 28A 43 W - Standard 86 nC 39ns/120ns 196V, 25A, 10Ohm - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRG7PH42UD-EP

IRG7PH42UD-EP

IGBT 1200V 85A 320W TO247AD

Infineon Technologies

7,646 -
RFQ
IRG7PH42UD-EP

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench 1200 V 85 A 90 A 2V @ 15V, 30A 320 W 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Standard 157 nC 25ns/229ns 600V, 30A, 10Ohm, 15V 153 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IRG7PH42UDPBF

IRG7PH42UDPBF

IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC

Infineon Technologies

6,787 -
RFQ
IRG7PH42UDPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench 1200 V 85 A 90 A 2V @ 15V, 30A 320 W 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Standard 157 nC 25ns/229ns 600V, 30A, 10Ohm, 15V 153 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRG7PH42UPBF

IRG7PH42UPBF

IGBT 1200V 90A 385W TO247AC

Infineon Technologies

8,998 -
RFQ
IRG7PH42UPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench 1200 V 90 A 90 A 2V @ 15V, 30A 385 W 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Standard 157 nC 25ns/229ns 600V, 30A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
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