Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Ergebnis

Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
IRGPC50UD2

IRGPC50UD2

IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC

Infineon Technologies

2,554 -
RFQ
IRGPC50UD2

Datenblatt

- TO-247-3 Bag Obsolete - 600 V 55 A - 3V @ 15V, 27A 200 W - Standard - - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXGR72N60C3

IXGR72N60C3

DISC IGBT PT-HIFREQUENCY ISOPLUS

IXYS

5,972 -
RFQ
IXGR72N60C3

Datenblatt

GenX3™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 80 A 400 A 2.7V @ 15V, 50A 200 W 1.03mJ (on), 480µJ (off) Standard 175 nC 27ns/77ns 480V, 50A, 2Ohm, 15V 37 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
SGL40N150TU

SGL40N150TU

IGBT 1500V 40A 200W TO264

onsemi

4,196 -
RFQ
SGL40N150TU

Datenblatt

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete - 1500 V 40 A 120 A 4.7V @ 15V, 40A 200 W - Standard 140 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264-3
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

IGBT PT 1200V 69A TO247

Microchip Technology

9,067 -
RFQ
APT25GP120BDQ1G

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 69 A 90 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W 500µJ (on), 440µJ (off) Standard 110 nC 12ns/70ns 600V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IRG4PSH71U

IRG4PSH71U

IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

Infineon Technologies

6,747 -
RFQ
IRG4PSH71U

Datenblatt

- TO-274AA Bag Obsolete - 1200 V 99 A 200 A 2.7V @ 15V, 70A 350 W 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) Standard 370 nC 51ns/280ns 960V, 70A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
IXYT80N90C3

IXYT80N90C3

IGBT 900V 165A TO268AA

IXYS

4,535 -
RFQ
IXYT80N90C3

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 900 V 165 A 360 A 2.7V @ 15V, 80A 830 W 4.3mJ (on), 1.9mJ (off) Standard 145 nC 34ns/90ns 450V, 80A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
AUIRGDC0250AKMA1

AUIRGDC0250AKMA1

IGBT 1200V 141A 543W SUPER220

Infineon Technologies

8,435 -
RFQ
AUIRGDC0250AKMA1

Datenblatt

- TO-273AA Tube Last Time Buy - 1200 V 141 A 99 A 1.8V @ 15V, 33A 543 W 15mJ (off) Standard 151 nC -/485ns 600V, 33A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

IGBT PT 900V 117A TO264

Microchip Technology

2,569 -
RFQ
APT64GA90LD30

Datenblatt

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 900 V 117 A 193 A 3.1V @ 15V, 38A 500 W 1192µJ (on), 1088µJ (off) Standard 162 nC 18ns/131ns 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXA30RG1200DHG-TRR

IXA30RG1200DHG-TRR

IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD

IXYS

9,542 -
RFQ
IXA30RG1200DHG-TRR

Datenblatt

- 9-SMD Module Tape & Reel (TR) Active - 1200 V 43 A - 2.1V @ 15V, 25A 147 W 2.5mJ (on), 3mJ (off) Standard 76 nC 70ns/250ns 600V, 25A, 39Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
IXYX200N65B3

IXYX200N65B3

IGBT

IXYS

6,003 -
RFQ
IXYX200N65B3

Datenblatt

XPT™, GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active - 650 V 410 A 1100 A 1.7V @ 15V, 100A 1560 W 5mJ (on), 4mJ (off) Standard 340 nC 60ns/370ns 400V, 100A, 0Ohm, 15V 108 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXGK120N60B3

IXGK120N60B3

DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26

IXYS

7,391 -
RFQ
IXGK120N60B3

Datenblatt

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete PT 600 V 280 A 600 A 1.8V @ 15V, 100A 780 W 2.9mJ (on), 3.5mJ (off) Standard 465 nC 40ns/227ns 480V, 100A, 2Ohm, 15V 87 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXGK)
IXYK200N65B3

IXYK200N65B3

IGBT

IXYS

8,947 -
RFQ
IXYK200N65B3

Datenblatt

XPT™, GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 650 V 410 A 1100 A 1.7V @ 15V, 100A 1560 W 5mJ (on), 4mJ (off) Standard 340 nC 60ns/370ns 400V, 100A, 0Ohm, 15V 108 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264
IXA30RG1200DHG-TUB

IXA30RG1200DHG-TUB

IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD

IXYS

4,561 -
RFQ
IXA30RG1200DHG-TUB

Datenblatt

- 9-SMD Module Tube Active - 1200 V 43 A - 2.1V @ 15V, 25A 147 W 2.5mJ (on), 3mJ (off) Standard 76 nC 70ns/250ns 600V, 25A, 39Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
IXXK200N60C3

IXXK200N60C3

IGBT 600V 340A 1630W TO264

IXYS

9,966 -
RFQ
IXXK200N60C3

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 340 A 900 A 2.1V @ 15V, 100A 1630 W 3mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 315 nC 47ns/125ns 360V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
APT40GR120B2SCD10

APT40GR120B2SCD10

IGBT 1200V 88A 500W TO247

Microsemi Corporation

2,147 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 88 A 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W 929µJ (on), 1070µJ (off) Standard 210 nC 20ns/166ns 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXGX35N120CD1

IXGX35N120CD1

IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

IXYS

2,839 -
RFQ

-

HiPerFAST™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete - 1200 V 70 A 140 A 4V @ 15V, 35A 350 W 3mJ (off) Standard 170 nC 50ns/150ns 960V, 35A, 5Ohm, 15V 60 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

IGBT 1200V 64A 357W TO264

Microchip Technology

5,752 -
RFQ
APT33GF120LRDQ2G

Datenblatt

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete NPT 1200 V 64 A 75 A 3V @ 15V, 25A 357 W 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) Standard 170 nC 14ns/185ns 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
APT50GP60BG

APT50GP60BG

IGBT PT 600V 100A TO247

Microchip Technology

2,244 -
RFQ
APT50GP60BG

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 100 A 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W 465µJ (on), 637µJ (off) Standard 165 nC 19ns/83ns 400V, 50A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXDT30N120

IXDT30N120

IGBT NPT 1200V 60A TO268AA

IXYS

7,967 -
RFQ
IXDT30N120

Datenblatt

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete NPT 1200 V 60 A - 2.9V @ 15V, 30A 300 W - Standard 120 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXYR50N120C3D1

IXYR50N120C3D1

IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247

IXYS

7,100 -
RFQ
IXYR50N120C3D1

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active - 1200 V 56 A 210 A 4V @ 15V, 50A 290 W 3mJ (on), 1mJ (off) Standard 142 nC 28ns/133ns 600V, 50A, 5Ohm, 15V 195 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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