Brückengleichrichter

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Brückengleichrichter

TomatoElec liefert Brückengleichrichter für Industrie, Automotive, Stromversorgung, Kommunikation und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete Brückengleichrichterprodukte für AC-zu-DC-Wandlungs- und Gleichrichterschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von Brückengleichrichtern und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von Brückengleichrichtern, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
GBU8D-BP

GBU8D-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU

Micro Commercial Co

6,540 -
RFQ
GBU8D-BP

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Not For New Designs Single Phase Standard 200 V 8 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBI20M

GBI20M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A GBI

Diotec Semiconductor

500 -
RFQ
GBI20M

Datenblatt

- 4-SIP, GBI Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 3.6 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBI
GBU1505

GBU1505

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU

Taiwan Semiconductor Corporation

980 -
RFQ
GBU1505

Datenblatt

- 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 600 V 15 A 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
T10JA06G-K

T10JA06G-K

BRIDGE RECT 1P 800V 10A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

1,498 -
RFQ
T10JA06G-K

Datenblatt

- 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 800 V 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
T10JA07G-K

T10JA07G-K

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

1,496 -
RFQ
T10JA07G-K

Datenblatt

- 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 1 kV 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
GBU3510-BP

GBU3510-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBU

Micro Commercial Co

2,000 -
RFQ
GBU3510-BP

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.05 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
RPM510_R2_00601

RPM510_R2_00601

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 5A M8

Panjit International Inc.

2,000 -
RFQ
RPM510_R2_00601

Datenblatt

- 4-SMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Single Phase Standard 1 kV 5 A 1.3 V @ 2.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount M8
GBI25D

GBI25D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4.2A GBI

Diotec Semiconductor

500 -
RFQ
GBI25D

Datenblatt

- 4-SIP, GBI Bulk Active Single Phase Standard 200 V 4.2 A 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBI
KBU605G

KBU605G

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU

Taiwan Semiconductor Corporation

498 -
RFQ
KBU605G

Datenblatt

- 4-SIP, KBU Tray Active Single Phase Standard 600 V 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
PM808LL_R2_00601

PM808LL_R2_00601

GLASS PASSIVATED LOW VF BRIDGE R

Panjit International Inc.

2,000 -
RFQ
PM808LL_R2_00601

Datenblatt

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - -
PMS408LL_R2_00601

PMS408LL_R2_00601

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A M4

Panjit International Inc.

9,000 -
RFQ
PMS408LL_R2_00601

Datenblatt

- 4-SMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Single Phase Standard 800 V 4 A 950 mV @ 2 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount M4
TS8P06G

TS8P06G

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

1,195 -
RFQ
TS8P06G

Datenblatt

- 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 800 V 8 A 1.1 V @ 8 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
KBL610G

KBL610G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL

GeneSiC Semiconductor

370 -
RFQ
KBL610G

Datenblatt

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBL
GBU1004H

GBU1004H

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000 -
RFQ
GBU1004H

Datenblatt

- 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole GBU
GBU1006H

GBU1006H

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000 -
RFQ
GBU1006H

Datenblatt

- 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole GBU
GBU1007H

GBU1007H

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000 -
RFQ
GBU1007H

Datenblatt

- 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 1 kV 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole GBU
GBU1006

GBU1006

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU

Taiwan Semiconductor Corporation

956 -
RFQ
GBU1006

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 10 A 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
PM1008LL_R2_00601

PM1008LL_R2_00601

GLASS PASSIVATED LOW VF BRIDGE R

Panjit International Inc.

1,900 -
RFQ
PM1008LL_R2_00601

Datenblatt

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - -
GBU10B

GBU10B

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU

GeneSiC Semiconductor

7,485 -
RFQ
GBU10B

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 100 V 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU10M

GBU10M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU

GeneSiC Semiconductor

7,482 -
RFQ
GBU10M

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 10 A 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
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