Brückengleichrichter

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Brückengleichrichter

TomatoElec liefert Brückengleichrichter für Industrie, Automotive, Stromversorgung, Kommunikation und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete Brückengleichrichterprodukte für AC-zu-DC-Wandlungs- und Gleichrichterschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von Brückengleichrichtern und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von Brückengleichrichtern, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
KBU1010-G

KBU1010-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU

Comchip Technology

14,817 -
RFQ
KBU1010-G

Datenblatt

- 4-SIP, KBU Tray Active Single Phase Standard 1 kV 10 A 1 V @ 5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
GBPC3510W-G

GBPC3510W-G

BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W

Comchip Technology

2,827 -
RFQ
GBPC3510W-G

Datenblatt

- 4-Square, GBPC-W Tray Active Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBPC-W
GSIB2560-E3/45

GSIB2560-E3/45

BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,122 -
RFQ
GSIB2560-E3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 600 V 3.5 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
MP506-BP

MP506-BP

BRIDGE RECT 1P 600V 50A MP-50

Micro Commercial Co

482 -
RFQ
MP506-BP

Datenblatt

- 4-Square, MP-50 Bulk Active Single Phase Standard 600 V 50 A 1.2 V @ 25 A 10 µA @ 600 V -50°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal MP-50
GBPC3510-E4/51

GBPC3510-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,889 -
RFQ
GBPC3510-E4/51

Datenblatt

- 4-Square, GBPC Box Active Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal GBPC
GBPC3510W

GBPC3510W

BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W

GeneSiC Semiconductor

750 -
RFQ
GBPC3510W

Datenblatt

- 4-Square, GBPC-W Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBPC-W
KBL06-E4/51

KBL06-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,554 -
RFQ
KBL06-E4/51

Datenblatt

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 600 V 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBL
KBL02-E4/51

KBL02-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

832 -
RFQ
KBL02-E4/51

Datenblatt

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 200 V 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBL
PB4010-E3/45

PB4010-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 40A PB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,478 -
RFQ
PB4010-E3/45

Datenblatt

isoCink+™ 4-SIP, PB Tube Active Single Phase Standard 1 kV 40 A 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole isoCINK+™ PB
GBPC3506W-G

GBPC3506W-G

BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W

Comchip Technology

7,497 -
RFQ
GBPC3506W-G

Datenblatt

- 4-Square, GBPC-W Tray Active Single Phase Standard 600 V 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBPC-W
GBPC2510-E4/51

GBPC2510-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,964 -
RFQ
GBPC2510-E4/51

Datenblatt

- 4-Square, GBPC Box Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal GBPC
GBPC2506

GBPC2506

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC

onsemi

312 -
RFQ
GBPC2506

Datenblatt

- 4-Square, GBPC Tray Active Single Phase Standard 600 V 25 A 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal GBPC
GBPC5010W-G

GBPC5010W-G

BRIDGE RECT 1P 1KV 50A GBPC-W

Comchip Technology

5,755 -
RFQ
GBPC5010W-G

Datenblatt

- 4-Square, GBPC-W Tray Active Single Phase Standard 1 kV 50 A 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBPC-W
GBPC5006-G

GBPC5006-G

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A GBPC

Comchip Technology

4,075 -
RFQ
GBPC5006-G

Datenblatt

- 4-Square, GBPC Tray Active Single Phase Standard 600 V 50 A 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal GBPC
3GBJ3516-BP

3GBJ3516-BP

BRIDGE RECT 3P 1.6KV 35A TSB-5

Micro Commercial Co

226 -
RFQ
3GBJ3516-BP

Datenblatt

- 5-SIP, TSB-5 Bulk Active Three Phase Standard 1.6 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1600 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole TSB-5
LVB2560-M3/45

LVB2560-M3/45

BRIDGE RECT 1P 600V 25A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

918 -
RFQ
LVB2560-M3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 600 V 25 A 920 mV @ 12.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
GBPC3510

GBPC3510

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC

onsemi

941 -
RFQ
GBPC3510

Datenblatt

- 4-Square, GBPC Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal GBPC
MT5016A-BP

MT5016A-BP

BRIDGE RECT 3P 1.6KV 50A MT-35A

Micro Commercial Co

472 -
RFQ
MT5016A-BP

Datenblatt

- 4-Square, MT-35A Bulk Active Three Phase Standard 1.6 kV 50 A 1.2 V @ 12 A - -40°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal MT-35A
GUO40-12NO1

GUO40-12NO1

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP

IXYS

3,553 -
RFQ
GUO40-12NO1

Datenblatt

- 5-SIP Tube Active Three Phase Standard 1.2 kV 40 A 1.28 V @ 30 A 40 µA @ 1200 V -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole GUFP
VS-36MT60

VS-36MT60

BRIDGE RECT 3PHASE 600V 35A D-63

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

133 -
RFQ
VS-36MT60

Datenblatt

- 5-Square, D-63 Bulk Active Three Phase Standard 600 V 35 A - 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - QC Terminal D-63
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