Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Transistortyp Strom - Kollektor (Ic) (Max) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Widerstand - Basis (R1) Widerstand - Emitter-Basis (R2) DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) Frequenz - Übergang Leistung – Max Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne, vorbeschaltete Bipolartransistoren

TomatoElec liefert einzelne und vorbeschaltete Bipolartransistoren für Industrie, Automotive, Steuerung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete vorbeschaltete BJT-Produkte für Schalt-, Verstärkungs- und Signalsteuerungsschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner und vorbeschalteter Bipolartransistoren und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von Transistoren, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Transistortyp Strom - Kollektor (Ic) (Max) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Widerstand - Basis (R1) Widerstand - Emitter-Basis (R2) DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) Frequenz - Übergang Leistung – Max Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
PDTA143EM,315

PDTA143EM,315

TRANS PNP W/RES 50V SOT-883

NXP USA Inc.

140,000 -
RFQ
PDTA143EM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MUN2238T1G

MUN2238T1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59

onsemi

9,974 -
RFQ
MUN2238T1G

Datenblatt

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 2.2 kOhms - 160 @ 5mA, 10V 250mV @ 1mA, 10mA 500nA - 230 mW - - Surface Mount SC-59
FJNS3201RTA

FJNS3201RTA

TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S

Fairchild Semiconductor

138,000 -
RFQ
FJNS3201RTA

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Short Body Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 4.7 kOhms 4.7 kOhms 20 @ 10mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92S
MUN2232T1

MUN2232T1

TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59

onsemi

132,000 -
RFQ
MUN2232T1

Datenblatt

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
PDTA115TM,315

PDTA115TM,315

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

NXP USA Inc.

130,000 -
RFQ
PDTA115TM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
PDTA144TM,315

PDTA144TM,315

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

NXP USA Inc.

130,000 -
RFQ
PDTA144TM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
FJN3309RTA

FJN3309RTA

TRANS PREBIAS NPN 40V TO92-3

Fairchild Semiconductor

126,000 -
RFQ
FJN3309RTA

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 40 V 4.7 kOhms - 100 @ 1mA, 5V 300mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
PDTA113EM,315

PDTA113EM,315

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

NXP USA Inc.

120,000 -
RFQ
PDTA113EM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
PDTA144VM,315

PDTA144VM,315

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

NXP USA Inc.

120,000 -
RFQ
PDTA144VM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MUN2214T1

MUN2214T1

TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

onsemi

4,179 -
RFQ
MUN2214T1

Datenblatt

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 10 kOhms 47 kOhms 80 @ 5mA, 10V 250mV @ 300µA, 10mA 500nA - 338 mW - - Surface Mount SC-59
DTB113E

DTB113E

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

onsemi

115,000 -
RFQ
DTB113E

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active PNP - Pre-Biased 100 mA 50 V 1 kOhms 1 kOhms 3 @ 5mA, 10V 250mV @ 300µA, 10mA 500nA - 350 mW - - Through Hole TO-92 (TO-226)
FJY3004R-ON

FJY3004R-ON

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523F

onsemi

111,699 -
RFQ
FJY3004R-ON

Datenblatt

- SC-89, SOT-490 Bulk Active NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 47 kOhms 47 kOhms 56 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 200 mW - - Surface Mount SOT-523F
MMUN2112LT1

MMUN2112LT1

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

onsemi

4,972 -
RFQ
MMUN2112LT1

Datenblatt

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete PNP - Pre-Biased 100 mA 50 V 22 kOhms 22 kOhms 60 @ 5mA, 10V 250mV @ 300µA, 10mA 500nA - 246 mW - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DTC143T

DTC143T

TRANS PREBIAS NPN 50V

onsemi

110,000 -
RFQ
DTC143T

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
FJN4305RTA

FJN4305RTA

TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3

Fairchild Semiconductor

104,753 -
RFQ
FJN4305RTA

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Active PNP - Pre-Biased 100 mA 50 V 4.7 kOhms 10 kOhms 30 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 200 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
FJN3310RTA

FJN3310RTA

TRANS PREBIAS NPN 40V TO92-3

Fairchild Semiconductor

104,000 -
RFQ
FJN3310RTA

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 40 V 10 kOhms - 100 @ 1mA, 5V 300mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
SMUN2233T1

SMUN2233T1

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA

onsemi

102,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
FJV3101RLIMTF

FJV3101RLIMTF

TRANS PREBIAS

Fairchild Semiconductor

102,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
PDTA123EM,315

PDTA123EM,315

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

NXP USA Inc.

100,000 -
RFQ
PDTA123EM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
PDTC123TM,315

PDTC123TM,315

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

NXP USA Inc.

100,000 -
RFQ
PDTC123TM,315

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
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