Renesas Electronics Corporation RBN40H65T1FPQ-A0#CB0

RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 Supplier & Distributor

RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 is an electronic component from Renesas Electronics Corporation. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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Teilenr.:
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecRBN40H65T1FPQ-A0#CB0.pdf
Beschreibung:
IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
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RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 Spezifikationen

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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
IGBT-Typ:
Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
80 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
-
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
2V @ 15V, 40A
Leistung – Max:
185 W
Schaltenergie:
620µJ (on), 520µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
28 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
22ns/96ns
Testbedingung:
400V, 40A, 16Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr):
55 ns
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247A
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Teilenr. RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
Hersteller Renesas Electronics Corporation
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-3
Verpackung Tube
Produktstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) -
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Leistung – Max 185 W
Schaltenergie 620µJ (on), 520µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate-Ladung 28 nC
Td (ein/aus) @ 25°C 22ns/96ns
Testbedingung 400V, 40A, 16Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) 55 ns
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247A

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