IXYS FMM22-06PF

FMM22-06PF Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
FMM22-06PF
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
i4-Pac™-5
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
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FMM22-06PF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
HiPerFET™, PolarHT™
Verpackung/Gehäuse:
i4-Pac™-5
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
600V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
12A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
350mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
58nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3600pF @ 25V
Leistung – Max:
130W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
ISOPLUS i4-PAC™
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. FMM22-05PF FMM22-06PF
Hersteller IXYS IXYS
Serie HiPerFET™, PolarHT™ HiPerFET™, PolarHT™
Verpackung/Gehäuse i4-Pac™-5 i4-Pac™-5
Verpackung Tube Tube
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V 600V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 13A 12A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 11A, 10V 350mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V 58nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2630pF @ 25V 3600pF @ 25V
Leistung – Max 132W 130W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ ISOPLUS i4-PAC™

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