Microchip Technology APTMC120TAM12CTPAG

APTMC120TAM12CTPAG Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
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APTMC120TAM12CTPAG
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SP6
Datenblatt:
TomatoElecAPTMC120TAM12CTPAG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6-P
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APTMC120TAM12CTPAG Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SP6
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Last Time Buy
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
220A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 150A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 30mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
483nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8400pF @ 1000V
Leistung – Max:
925W
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
SP6-P
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. APTMC120TAM12CTPAG
Hersteller Microchip Technology
Serie -
Verpackung/Gehäuse SP6
Verpackung Bulk
Produktstatus Last Time Buy
Technologie Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 220A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 150A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V
Leistung – Max 925W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
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Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket SP6-P

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