Advanced Linear Devices Inc. ALD210800ASCL

ALD210800ASCL Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
ALD210800ASCL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecALD210800ASCL.pdf
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
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ALD210800ASCL Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie:
EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung/Gehäuse:
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
4 N-Channel, Matched Pair
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
80mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
25Ohm
Vgs(th) (Max) @ Id:
10mV @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
15pF @ 5V
Leistung – Max:
500mW
Betriebstemperatur:
0°C ~ 70°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
16-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. ALD210800ASCL
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
Serie EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung/Gehäuse 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tube
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 4 N-Channel, Matched Pair
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 80mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25Ohm
Vgs(th) (Max) @ Id 10mV @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V
Leistung – Max 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 16-SOIC

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