Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
FGHL75T65MQD

FGHL75T65MQD

IGBT 650V 75A TO247

onsemi

395 -
RFQ
FGHL75T65MQD

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 1.8V @ 15V, 75A 375 W 1.94mJ (on), 1.55mJ (off) Standard 145 nC 33ns/176ns 400V, 75A, 10Ohm, 15V 36 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RGWSX2TS65GC13

RGWSX2TS65GC13

IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWSX2TS65GC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 104 A 180 A 2V @ 15V, 60A 288 W 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 140 nC 55ns/180ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
FGH75T65SHDTL4

FGH75T65SHDTL4

IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247

onsemi

289 -
RFQ
FGH75T65SHDTL4

Datenblatt

- TO-247-4 Tube Active Field Stop 650 V 150 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 455 W 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Standard 126 nC 55ns/189ns 400V, 75A, 15Ohm, 15V 76 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXA12IF1200PB

IXA12IF1200PB

IGBT PT 1200V 20A TO220-3

IXYS

300 -
RFQ
IXA12IF1200PB

Datenblatt

- TO-220-3 Tube Active PT 1200 V 20 A - 2.1V @ 15V, 10A 85 W 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) Standard 27 nC - 600V, 10A, 100Ohm, 15V 350 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
RGTH80TK65DGC11

RGTH80TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RFQ
RGTH80TK65DGC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 31 A 160 A 2.1V @ 15V, 40A 66 W - Standard 79 nC 34ns/120ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGWS00TS65DGC13

RGWS00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWS00TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 88 A 150 A 2V @ 15V, 50A 245 W 980µJ (on), 910µJ (off) Standard 108 nC 46ns/145ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGTV80TS65DGC11

RGTV80TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

Rohm Semiconductor

450 -
RFQ
RGTV80TS65DGC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 78 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 234 W 1.02mJ (on), 710µJ (off) Standard 81 nC 39ns/113ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 101 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGWX5TS65DHRC11

RGWX5TS65DHRC11

IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

Rohm Semiconductor

332 -
RFQ
RGWX5TS65DHRC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 132 A 300 A 1.9V @ 15V, 75A 348 W - Standard 213 nC 62ns/237ns 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
FGH50T65UPD

FGH50T65UPD

IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

onsemi

253 -
RFQ
FGH50T65UPD

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 100 A 150 A 2.3V @ 15V, 50A 340 W 2.7mJ (on), 740µJ (off) Standard 230 nC 32ns/160ns 400V, 50A, 6Ohm, 15V 53 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
AIKB50N65DH5ATMA1

AIKB50N65DH5ATMA1

DISCRETE SWITCHES

Infineon Technologies

3,980 -
RFQ
AIKB50N65DH5ATMA1

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active NPT 650 V 50 A - - - - Standard - - - - - - - Surface Mount PG-TO263-3-2
RGT60TS65DGC13

RGT60TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G

Rohm Semiconductor

554 -
RFQ
RGT60TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 55 A 90 A 2.1V @ 15V, 30A 194 W - Standard 58 nC 29ns/100ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

Rohm Semiconductor

440 -
RFQ
RGW80TK65DGVC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 39 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 81 W 760µJ (on), 720µJ (off) Standard 110 nC 44ns/143ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
FGH75T65UPD

FGH75T65UPD

IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3

onsemi

1,131 -
RFQ
FGH75T65UPD

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 150 A 225 A 2.3V @ 15V, 75A 375 W 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 385 nC 32ns/166ns 400V, 75A, 3Ohm, 15V 85 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G

Rohm Semiconductor

581 -
RFQ
RGTH00TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 85 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W - Standard 94 nC 39ns/143ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 54 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IXGH48N60A3D1

IXGH48N60A3D1

IGBT 600V 300W TO247AD

IXYS

192 -
RFQ
IXGH48N60A3D1

Datenblatt

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V - 300 A 1.35V @ 15V, 32A 300 W 950µJ (on), 2.9mJ (off) Standard 110 nC 25ns/334ns 480V, 32A, 5Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
RGS80TSX2GC11

RGS80TSX2GC11

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

249 -
RFQ
RGS80TSX2GC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 104 nC 49ns/199ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGW60TS65DHRC11

RGW60TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

380 -
RFQ
RGW60TS65DHRC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 64 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W - Standard 84 nC 36ns/107ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 87 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXBT6N170

IXBT6N170

IGBT 1700V 12A TO268AA

IXYS

230 -
RFQ
IXBT6N170

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 12 A 36 A 3.4V @ 15V, 6A 75 W - Standard 17 nC - - 1.08 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
RGWSX2TS65DGC13

RGWSX2TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWSX2TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 104 A 180 A 2V @ 15V, 60A 288 W 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 140 nC 55ns/180ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGT80TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 70 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 234 W - Standard 79 nC 34ns/119ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 236 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
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