Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
RGTH60TK65GC11

RGTH60TK65GC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

Rohm Semiconductor

307 -
RFQ
RGTH60TK65GC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 28 A 120 A 2.1V @ 15V, 30A 61 W - Standard 58 nC 27ns/105ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGWS60TS65DGC13

RGWS60TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWS60TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 51 A 90 A 2V @ 15V, 30A 156 W 500µJ (on), 450µJ (off) Standard 58 nC 32ns/91ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
AFGHL75T65SQ

AFGHL75T65SQ

IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT

onsemi

186 -
RFQ
AFGHL75T65SQ

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 375 W 1.86mJ (on), 1.13mJ (off) Standard 139 nC 25ns/106ns 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

Rohm Semiconductor

102 -
RFQ
RGW60TK65GVC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 33 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 72 W 480µJ (on), 490µJ (off) Standard 84 nC 37ns/114ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGTV60TK65GVC11

RGTV60TK65GVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RFQ
RGTV60TK65GVC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 33 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 76 W 570µJ (on), 500µJ (off) Standard 64 nC 33ns/105ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGCL80TS60GC13

RGCL80TS60GC13

IGBT TRENCH FS 600V 65A TO247G

Rohm Semiconductor

569 -
RFQ
RGCL80TS60GC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 65 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 148 W 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Standard 98 nC 53ns/227ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGTH40TK65DGC11

RGTH40TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM

Rohm Semiconductor

440 -
RFQ
RGTH40TK65DGC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 23 A 80 A 2.1V @ 15V, 20A 56 W - Standard 40 nC 22ns/73ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
IKFW50N60DH3EXKSA1

IKFW50N60DH3EXKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3

Infineon Technologies

152 -
RFQ
IKFW50N60DH3EXKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 40 A 120 A 2.7V @ 15V, 40A 130 W 1.28mJ (on), 560µJ (off) Standard 160 nC 21ns/174ns 400V, 40A, 8Ohm, 15V 64 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-AI
RGWS00TS65GC13

RGWS00TS65GC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWS00TS65GC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 88 A 150 A 2V @ 15V, 50A 245 W 980µJ (on), 910µJ (off) Standard 108 nC 46ns/145ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGCL60TS60DGC13

RGCL60TS60DGC13

IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247G

Rohm Semiconductor

598 -
RFQ
RGCL60TS60DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 48 A 120 A 1.8V @ 15V, 30A 111 W 770µJ (on), 1.11mJ (off) Standard 68 nC 44ns/186ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGTH50TK65DGC11

RGTH50TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM

Rohm Semiconductor

443 -
RFQ
RGTH50TK65DGC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 26 A 100 A 2.1V @ 15V, 25A 59 W - Standard 49 nC 27ns/94ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
AFGHL75T65SQDC

AFGHL75T65SQDC

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3

onsemi

328 -
RFQ
AFGHL75T65SQDC

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 375 W 1.68mJ (on), 1.11mJ (off) Standard 139 nC 24ns/107.2ns 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
RGW60TS65HRC11

RGW60TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

420 -
RFQ
RGW60TS65HRC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 64 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W - Standard 84 nC 36ns/107ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGW40TK65DGVC11

RGW40TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RFQ
RGW40TK65DGVC11

Datenblatt

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 27 A 80 A 1.9V @ 15V, 20A 61 W - Standard 59 nC 33ns/76ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
FGH40T120SQDNL4

FGH40T120SQDNL4

IGBT 1200V 40A UFS FOR SO

onsemi

251 -
RFQ
FGH40T120SQDNL4

Datenblatt

- TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 160 A 160 A 1.95V @ 15V, 40A 454 W 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Standard 221 nC 46ns/220ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 166 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
RGTH80TS65DGC13

RGTH80TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G

Rohm Semiconductor

593 -
RFQ
RGTH80TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 70 A 160 A 2.1V @ 15V, 40A 234 W - Standard 79 nC 34ns/120ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 236 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGWS80TS65DGC13

RGWS80TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G

Rohm Semiconductor

590 -
RFQ
RGWS80TS65DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 71 A 120 A 2V @ 15V, 40A 202 W 700µJ (on), 660µJ (off) Standard 83 nC 40ns/114ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

Rohm Semiconductor

314 -
RFQ
RGW80TS65DGC11

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 78 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 214 W 760µJ (on), 720µJ (off) Standard 110 nC 44ns/143ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
FGHL75T65MQDT

FGHL75T65MQDT

FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24

onsemi

812 -
RFQ
FGHL75T65MQDT

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 1.8V @ 15V, 75A 375 W 2.35mJ (on), 1.25mJ (off) Standard 149 nC 24ns/118ns 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V 107 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RGCL80TS60DGC13

RGCL80TS60DGC13

IGBT TRENCH FS 600V 65A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGCL80TS60DGC13

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 65 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 148 W 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Standard 98 nC 53ns/227ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
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