Brückengleichrichter

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Brückengleichrichter

TomatoElec liefert Brückengleichrichter für Industrie, Automotive, Stromversorgung, Kommunikation und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete Brückengleichrichterprodukte für AC-zu-DC-Wandlungs- und Gleichrichterschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von Brückengleichrichtern und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von Brückengleichrichtern, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
GBU8K-E3/45

GBU8K-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,025 -
RFQ
GBU8K-E3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8K-E3/51

GBU8K-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

470 -
RFQ
GBU8K-E3/51

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 800 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
TS25P07G

TS25P07G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

1,130 -
RFQ
TS25P07G

Datenblatt

- 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
KBU1004-G

KBU1004-G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A KBU

Comchip Technology

686 -
RFQ
KBU1004-G

Datenblatt

- 4-SIP, KBU Tray Active Single Phase Standard 400 V 10 A 1 V @ 5 A 10 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
GBU6B-E3/45

GBU6B-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

591 -
RFQ
GBU6B-E3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 100 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6D

GBU6D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU

onsemi

1,312 -
RFQ
GBU6D

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 200 V 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBJ2001-F

GBJ2001-F

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 20A GBJ

Diodes Incorporated

1,028 -
RFQ
GBJ2001-F

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Tube Active Single Phase Standard 100 V 20 A 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
VS-2KBP01

VS-2KBP01

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A D-44

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

784 -
RFQ
VS-2KBP01

Datenblatt

VS-2KBP 4-SIP, D-44 Bulk Active Single Phase Standard 100 V 2 A 1 V @ 1 A 10 µA @ 100 V -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole D-44
VS-2KBB10

VS-2KBB10

BRIDGE RECT 1P 100V 1.9A 2KBB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

487 -
RFQ
VS-2KBB10

Datenblatt

- 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 100 V 1.9 A 1.1 V @ 1.9 A 10 µA @ 100 V -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
BR1001SG-G

BR1001SG-G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A BR-8

Comchip Technology

1,970 -
RFQ
BR1001SG-G

Datenblatt

- 4-Square, BR-8 Bulk Active Single Phase Standard 100 V 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount BR-8
TS40P07G

TS40P07G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 40A TS-6P

Taiwan Semiconductor Corporation

1,603 -
RFQ
TS40P07G

Datenblatt

- 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 1 kV 40 A 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
GBJ1006-F

GBJ1006-F

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ

Diodes Incorporated

242 -
RFQ
GBJ1006-F

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Tube Active Single Phase Standard 600 V 10 A 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 600 V -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
GBU25H08-M3/P

GBU25H08-M3/P

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4.5A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

334 -
RFQ
GBU25H08-M3/P

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 4.5 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole GBU
VS-2KBB40

VS-2KBB40

BRIDGE RECT 1P 400V 1.9A 2KBB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

502 -
RFQ
VS-2KBB40

Datenblatt

- 4-SIP, 2KBB Bulk Active Single Phase Standard 400 V 1.9 A 1.1 V @ 1.9 A - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 2KBB
DFB2040

DFB2040

BRIDGE RECT 1P 400V 20A TS-6P

onsemi

1,187 -
RFQ
DFB2040

Datenblatt

- 4-SIP, TS-6P Tube Active Single Phase Standard 400 V 20 A 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TS-6P
GBJ2508-BP

GBJ2508-BP

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ

Micro Commercial Co

803 -
RFQ
GBJ2508-BP

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Tube Active Single Phase Standard 800 V 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45

BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,461 -
RFQ
GSIB680-E3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 800 V 2.8 A 950 mV @ 3 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
VS-KBPC1005

VS-KBPC1005

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPC1

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

223 -
RFQ
VS-KBPC1005

Datenblatt

VS-KBPC1 4-Square, KBPC-1 Bulk Active Single Phase Standard 50 V 3 A 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBPC1
GBU4D-E3/45

GBU4D-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,492 -
RFQ
GBU4D-E3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 200 V 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU4J-E3/51

GBU4J-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,047 -
RFQ
GBU4J-E3/51

Datenblatt

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 600 V 4 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
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