Brückengleichrichter

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Brückengleichrichter

TomatoElec liefert Brückengleichrichter für Industrie, Automotive, Stromversorgung, Kommunikation und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete Brückengleichrichterprodukte für AC-zu-DC-Wandlungs- und Gleichrichterschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von Brückengleichrichtern und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von Brückengleichrichtern, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Diodentyp Technologie Spannung - Spitzensperrspannung (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Strom - Sperrleck @ Vr Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
GBPC608/1

GBPC608/1

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBPC6

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,871 -
RFQ
GBPC608/1

Datenblatt

- 4-Square, GBPC-6 Bulk Obsolete Single Phase Standard 800 V 3 A 1 V @ 3 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBPC6
GSIB620N-M3/45

GSIB620N-M3/45

BRIDGE RECT 1P 200V 6A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,418 -
RFQ
GSIB620N-M3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 200 V 6 A 950 mV @ 3 A 10 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
GSIB640N-M3/45

GSIB640N-M3/45

BRIDGE RECT 1P 400V 6A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,477 -
RFQ
GSIB640N-M3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 400 V 6 A 950 mV @ 3 A 10 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
GSIB660N-M3/45

GSIB660N-M3/45

BRIDGE RECT 1P 600V 6A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,134 -
RFQ
GSIB660N-M3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 600 V 6 A 950 mV @ 3 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
GSIB680N-M3/45

GSIB680N-M3/45

BRIDGE RECT 1P 800V 6A GSIB-5S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,237 -
RFQ
GSIB680N-M3/45

Datenblatt

- 4-SIP, GSIB-5S Tube Active Single Phase Standard 800 V 6 A 950 mV @ 3 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GSIB-5S
GBJ2510-G

GBJ2510-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ

Comchip Technology

7,785 -
RFQ
GBJ2510-G

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Tube Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
GBJ2510-03-G

GBJ2510-03-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ

Comchip Technology

7,215 -
RFQ
GBJ2510-03-G

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
GBJ2510-04-G

GBJ2510-04-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ

Comchip Technology

2,720 -
RFQ
GBJ2510-04-G

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
GBJ2510-05-G

GBJ2510-05-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ

Comchip Technology

5,957 -
RFQ
GBJ2510-05-G

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
GBJ2510-06-G

GBJ2510-06-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ

Comchip Technology

3,624 -
RFQ
GBJ2510-06-G

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 25 A 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
PBPC1006

PBPC1006

BRIDGE RECT 1P 800V 8A PBPC-8

Diodes Incorporated

6,249 -
RFQ
PBPC1006

Datenblatt

- 4-Square, PBPC-8 Box Obsolete Single Phase Standard 800 V 8 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V -65°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole PBPC-8
MB106

MB106

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A BR-6

Micro Commercial Co

2,373 -
RFQ
MB106

Datenblatt

- 4-Square, BR-6 Bulk Obsolete Single Phase Standard 600 V 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole BR-6
MB108

MB108

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A BR-6

Micro Commercial Co

7,119 -
RFQ
MB108

Datenblatt

- 4-Square, BR-6 Bulk Obsolete Single Phase Standard 800 V 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole BR-6
KBU3510-G

KBU3510-G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A KBU

Comchip Technology

2,475 -
RFQ
KBU3510-G

Datenblatt

- 4-SIP, KBU Tray Obsolete Single Phase Standard 1 kV 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
GBJ2506

GBJ2506

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJ

Diodes Incorporated

5,019 -
RFQ
GBJ2506

Datenblatt

- 4-SIP, GBJ Tube Discontinued at Digi-Key Single Phase Standard 600 V 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
KBU35005-G

KBU35005-G

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 35A KBU

Comchip Technology

7,669 -
RFQ
KBU35005-G

Datenblatt

- 4-SIP, KBU Tray Obsolete Single Phase Standard 50 V 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole KBU
PBPC1007

PBPC1007

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8

Diodes Incorporated

5,290 -
RFQ
PBPC1007

Datenblatt

- 4-Square, PBPC-8 Box Obsolete Single Phase Standard 1 kV 8 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 1000 V -65°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole PBPC-8
MB1010

MB1010

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A BR-6

Micro Commercial Co

9,442 -
RFQ
MB1010

Datenblatt

- 4-Square, BR-6 Bulk Obsolete Single Phase Standard 1 kV 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole BR-6
BU1006A-E3/45

BU1006A-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,339 -
RFQ
BU1006A-E3/45

Datenblatt

- 4-SIP, BU Tube Active Single Phase Standard 600 V 3 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole isoCINK+™ BU
BU1006A-E3/51

BU1006A-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,373 -
RFQ
BU1006A-E3/51

Datenblatt

- 4-SIP, BU Bulk Active Single Phase Standard 600 V 3 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole isoCINK+™ BU
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